--- 产品参数 ---
- 最低频率(MHz) 1,200
- 最大频率(MHz) 1,400
- 增益(分贝) 17.5
- 饱和度(dBm) 54.9
- 电压(伏) 45
- Idq (毫安) 750
- 包装类型 Ni50-CW
- 包装(毫米) 19 x 17.68 x 4.49
--- 产品详情 ---
产品简介
Qorvo 的 QPD1006 是一款 450 W (P3dB) 内部匹配的分立式 GaN on SiC HEMT,工作频率范围为 1.2 至 1.4 GHz 和 50V 电源轨。该器件是 GaN IMFET,完全匹配 50 欧姆,采用行业标准气腔封装,非常适合军用和民用雷达。该器件可以支持脉冲和 CW 操作。
产品规格
最低频率(MHz) 1,200
最大频率(MHz) 1,400
增益(分贝) 17.5
饱和度(dBm) 54.9
电压(伏) 45
Idq (毫安) 750
包装类型 Ni50-CW
包装(毫米) 19 x 17.68 x 4.49
主要特征
频率范围:1.2 - 1.4 GHz
输出功率 (P3dB):313 W (CW),468 W(脉冲)在 1.3 GHz
线性增益:17.5 dB (CW),17.8 dB(脉冲)在 1.3 GHz
典型 DEFF3dB (CW):55% (CW),62.2%(脉冲)在 1.3 GHz
工作电压:45V(CW),50V(脉冲)
低热阻封装
CW 和脉冲能力
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