型号简介
RF-MOSFET-1000V是Microchip推出的一款晶体管，这款晶体管拥有 1000V 的漏源击穿电压，如同坚不可摧的堡垒，抵御着高压的冲击，为系统提供稳定的功率输出。N 沟道增强型 MOSFET 结构赋予它强大的力量，使其能够在各种射频功率放大器应用中发挥出色的性能，如同一位无所不能的战士。
型号规格
- 品牌：Microchip
- 型号：RF-MOSFET-1000V
- 类别：晶体管
- 封装：陶瓷
型号特点
- IDSS： 零栅极电压漏电流，40μA
- IGSS： 零栅极电压栅极漏电流，±400nA
- gfs： 正向跨导，5.5mhos
- Visolation： 隔离电压，1000V
- VGS(TH)： 栅极阈值电压，3V
应用范围
- 开关电源
- 工业应用
- 电机控制
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