型号简介
MPQ1918GQE-AEC1-Z是MPS的一款栅极驱动器。专为驱动半桥或同步应用中的增强型氮化镓 (GaN) FET 和低栅极阈值电压 N 沟道 MOSFET而设计。采用独立的上管 (HS) 和下管 (LS) 脉宽调制 (PWM) 输入。它采用自举技术提供 HS 驱动电压自举，并可以在高达 100V 的电压下工作。其新型充电技术可防止 HS 驱动电压超过 VCC 电压 (VCC)，从而防止栅极电压超过 GaN FET 的最大栅源电压额定值。
型号特点
- 独立的上管 (HS) 和下管 (LS) TTL 逻辑输入
- HS 浮动偏置电压轨工作电压高达 100VDC
- 独立栅极输出以实现可调导通与关断能力
- 内部自举开关电源电压钳位
- 3.7V 至 5.5V VCC 电压 (VCC) 范围
- 0.27Ω/1.2Ω 下拉/上拉电阻
- 快速传播时间
- 出色的传播延迟匹配（1.5ns典型值）
- 采用侧面镀锡的 FCQFN-14 (3mmx3mm) 封装
- 符合AEC-Q100 等级1认证
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