立年电子科技产品

• DMTH6005LK3 60V 175°C N 沟道增强型 MOSFET 晶体管2023-09-20 19:15

  

  产品型号：DMTH6005LK3 品牌：DIODES 型号：DMTH6005LK3 名称：60V 175°C N 沟道增强型 MOSFET 产地：台湾 封装：TO252

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• DMTH6005LFG 60V 175°C N 沟道增强型 MOSFET 晶体管2023-09-20 18:59

  

  产品型号：DMTH6005LFG 品牌：DIODES 型号：DMTH6005LFG 名称：60V 175°C N 沟道增强型 MOSFET 产地：台湾 封装：PowerDI®3333-8

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• DMTH6005LCT 60V 175°C N 沟道增强型 MOSFET 晶体管2023-09-20 17:00

  

  产品型号：DMTH6005LCT 品牌：DIODES 型号：DMTH6005LCT 名称：60V 175°C N 沟道增强型 MOSFET 产地：台湾 封装：TO220-3

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• DMTH6004SK3Q 60V 175°C N 沟道增强型 MOSFET 晶体管2023-09-20 16:54

  

  产品型号：DMTH6004SK3Q 品牌：DIODES 型号：DMTH6004SK3Q 名称： 60V 175°C N 沟道增强型 MOSFET 产地：台湾 封装：TO252 (DPAK)

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• DMTH6004SK3 60V 175°C N 沟道增强型 MOSFET 晶体管2023-09-20 16:50

  

  产品型号：DMTH6004SK3 品牌：DIODES 型号：DMTH6004SK3 名称：60V 175°C N 沟道增强型 MOSFET 产地：台湾 封装：TO252 (DPAK)

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• DMTH6004SCTBQ 60V 175°C N 沟道增强型 MOSFET 晶体管2023-09-20 16:44

  

  产品型号：DMTH6004SCTBQ 品牌：DIODES 型号：DMTH6004SCTBQ 名称：60V 175°C N 沟道增强型 MOSFET 产地：台湾 封装： TO263AB (D2PAK)

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• DMTH6004SCTB 60V 175°C N 沟道增强型 MOSFET 晶体管2023-09-20 16:39

  

  产品型号：DMTH6004SCTB 品牌：DIODES 型号：DMTH6004SCTB 名称：60V 175°C N 沟道增强型 MOSFET 产地：台湾 封装：TO263AB

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• DMTH6004SCT 60V 175°C N 沟道增强型 MOSFET 晶体管2023-09-20 16:20

  

  产品型号：DMTH6004SCT 品牌：DIODES 型号：DMTH6004SCT 名称：60V 175°C N 沟道增强型 MOSFET 产地：台湾 封装：TO220AB

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• DMTH6002LPSWQ 60V 175°C N 沟道增强型 MOSFET 晶体管2023-09-20 16:10

  

  产品型号：DMTH6002LPSWQ 品牌：DIODES 型号：DMTH6002LPSWQ 名称：60V 175°C N 沟道增强型 MOSFET 产地：台湾 封装： PowerDI®5060-8

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• DMTH6002LPSW 60V 175°C N 沟道增强型 MOSFET 晶体管2023-09-20 16:05

  

  产品型号：DMTH6002LPSW 品牌：DIODES 型号：DMTH6002LPSW 名称：60V 175°C N 沟道增强型 MOSFET 产地：台湾 封装：PowerDI®5060-8

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