立年电子科技产品

• DMTH4011SPD 40V 175°C 双 N 沟道增强型 MOSFET 晶体管2023-09-19 15:29

  

  产品型号：DMTH4011SPD 品牌：DIODES 型号：DMTH4011SPD 名称：40V 175°C 双 N 沟道增强型 MOSFET 产地：台湾 封装：PowerDI® 5060-8

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• DMTH4008LPS 40V N 沟道增强型 MOSFET 晶体管2023-09-19 15:24

  

  产品型号：DMTH4008LPS 品牌：DIODES 型号：DMTH4008LPS 名称：40V N 沟道增强型 MOSFET 产地：台湾 封装：PowerDI®5060-8

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• DMTH4008LFDFWQ 40V +175°C N 沟道增强型 MOSFET 晶体管2023-09-19 15:18

  

  产品型号：DMTH4008LFDFWQ 品牌：DIODES 型号：DMTH4008LFDFWQ 名称： 40V +175°C N 沟道增强型 MOSFET 产地：台湾 封装：U-DFN2020-6 (SWP) (Type F)

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• DMTH4008LFDFW 40V N 沟道增强型 MOSFET 晶体管2023-09-19 15:13

  

  产品型号：DMTH4008LFDFW 品牌：DIODES 型号：DMTH4008LFDFW 名称：40V N 沟道增强型 MOSFET 产地：台湾 封装：U-DFN2020-6 (SWP) (Type F)

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• DMTH4007SPS 40V N 沟道增强型 MOSFET 晶体管2023-09-19 15:08

  

  产品型号：DMTH4007SPS 品牌：DIODES 型号：DMTH4007SPS 名称： 40V N 沟道增强型 MOSFET 产地：台湾 封装：PowerDI® 5060-8

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• DMTH4007SPDQ 40V +175°C 双 N 沟道增强型 MOSFET 晶体管2023-09-19 15:02

  

  产品型号：DMTH4007SPDQ 品牌：DIODES 型号：DMTH4007SPDQ 名称：40V +175°C 双 N 沟道增强型 MOSFET 产地：台湾 封装：PowerDI® 5060-8

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• DMTH4007SPD 40V +175°C N 沟道增强型 MOSFET 晶体管2023-09-19 14:57

  

  产品型号：DMTH4007SPD 品牌：DIODES 型号：DMTH4007SPD 名称：40V +175°C N 沟道增强型 MOSFET 产地：台湾 封装：PowerDI® 5060-8

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• DMTH4005SCT 40V +175°C N 沟道增强型 MOSFET 晶体管2023-09-19 14:50

  

  产品型号：DMTH4005SCT 品牌：DIODES 型号：DMTH4005SCT 名称：40V +175°C N 沟道增强型 MOSFET 产地：台湾 封装：TO220-3

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• DMTH4002SCTBQ 40V +175°C N 沟道增强型 MOSFET 晶体管2023-09-19 14:34

  

  产品型号：DMTH4002SCTBQ 品牌：DIODES 型号：DMTH4002SCTBQ 名称：40V +175°C N 沟道增强型 MOSFET 产地：台湾 封装：TO263AB

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• DMTH4002SCTB 40V +175°C N 沟道增强型 MOSFET 晶体管2023-09-19 14:29

  

  产品型号：DMTH4002SCTB 品牌：DIODES 型号：DMTH4002SCTB 名称：40V +175°C N 沟道增强型 MOSFET 产地：台湾 封装：TO263AB

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