CPM2-1200-0160A是1200 V 裸片碳化硅 MOSFET – 第 3 代。第 3 代系列 1200 V 碳化硅 MOSFET 针对高功率应用进行了优化提供一系列 1200 V 碳化硅 (SiC) MOSFET，它们针对不间断电源 (UPS) 等大功率应用进行了优化；电机驱动器；开关电源；太阳能和储能系统；电动汽车充电；高压 DC/DC 转换器；和更多。基于最新的第三代技术；1200 V 碳化硅 MOSFET 包括一系列导通电阻和封装选项，使设计人员能够为其应用选择正确的部件。1200V MOSFET 专为超低 RDS(ON) 和增加的 CGS/CGD 比率而设计，以提高硬开关性能。软开关应用也可以从更线性的 COSS 行为中受益。将 1200 V SiC 二极管与 SiC MOSFET 搭配使用，可在要求苛刻的应用中实现更高效率的强大组合。从基于硅的解决方案转向碳化硅所获得的效率有助于减小系统尺寸；重量; 设计复杂性；大多数大功率应用中的成本。一系列顶面和背面金属化选项和芯片布局为模块设计人员提供了选择组装工艺和模块布局的灵活性。。
好处
• 更高的系统效率
• 降低冷却要求
• 增加功率密度
• 提高系统开关频率
特征
• C2M SiC MOSFET 技术
• 高阻断电压和低导通电阻
• 低电容的高速开关
• 易于并联且易于驱动
• 雪崩坚固性
• 抗闩锁
• 无卤素，符合 RoHS 标准
应用
• 太阳能逆变器
• 开关模式电源
• 高压 DC/DC 转换器
• LED 照明电源
阻断电压:1200V
脉冲漏极电流：40A
焊锡温度：260 ˚C
最高加工温度：325 ˚C
反向恢复时间：20ns
反向恢复电荷：192nC
峰值反向恢复电流：30A
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