C3D03060E为1200 V 分立碳化硅 MOSFETT。业内最广泛的 1200 V SiC MOSFET 产品组合。1200 V 碳化硅 (SiC) MOSFET 系列经过优化，可用于 UPS 等大功率应用；电机控制和驱动；开关电源；太阳能和储能系统；电动汽车充电；高压 DC/DC 转换器；和更多。基于第三代技术；各种各样的导通电阻和封装选项使设计人员能够为他们的应用选择正确的部件。将的 1200 V 碳化硅二极管与碳化硅 MOSFET 配对，为要求苛刻的应用创造了更高效率的强大组合。
优点
• 用单极整流器代替双极
• 基本上没有开关损耗
• 更高的效率
• 降低散热器要求
• 没有热失控的并行器件
特征
• 600 伏肖特基整流器
• 零反向恢复电流
• 零正向恢复电压
• 高频操作
• 与温度无关的开关行为
• 极快的切换
• VF 上的正温度系数
应用
• 开关模式电源 (SMPS)
• PFC 或 DC/DC 级中的升压二极管
• 逆变器级中的续流二极管
• AC/DC 转换器
重复峰值反向电压:600V
浪涌峰值反向电压:600V
直流阻断电压：600V
功耗：39.5;17W
二极管dV/dt耐用性：200V/ns
工作结温和存储温度:-55to+175˚C
相关型号
C3D03060E C3D02065E
C3D03060F C3D03065E
C3D03060A C3D04065E
C3D04060E C3D04065A
C3D04060F C6D04065E
C3D04060A C6D04065A
C3D06060G C6D06065Q
C3D06060F C6D06065G
C3D06060A C3D06065E
C3D08060G C3D06065A
C3D08060A C6D06065E
C3D10060G C6D06065A
C3D10060A C3D06065I
C3D16060D C6D08065Q
C3D20060D C6D08065G
