C3M0350120D为1200 V 分立碳化硅 MOSFETT。业内最广泛的 1200 V SiC MOSFET 产品组合。1200 V 碳化硅 (SiC) MOSFET 系列经过优化，可用于 UPS 等大功率应用；电机控制和驱动；开关电源；太阳能和储能系统；电动汽车充电；高压 DC/DC 转换器；和更多。基于第三代技术；各种各样的导通电阻和封装选项使设计人员能够为他们的应用选择正确的部件。将的 1200 V 碳化硅二极管与碳化硅 MOSFET 配对，为要求苛刻的应用创造了更高效率的强大组合。
优点
更高的系统效率
降低冷却要求
提高功率密度
提高系统开关频率
特征
C3MTM SiC MOSFET 技术
高阻断电压和低导通电阻
低电容的高速开关
具有低反向恢复 (Qrr) 的快速本征二极管
无卤素，符合 RoHS 标准
应用
再生能源
高压 DC/DC 转换器
开关模式电源
UPS
漏源电压:600V
浪涌峰值反向电压：600V
直流阻断电压：600V
非重复峰值正向浪涌电流：9A
功耗：21.4W
工作结温和存储温度:-55to+175˚C
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