新启航半导体有限公司文章

• 超薄碳化硅衬底切割自动对刀精度提升策略2025-07-02 09:49

  

  超薄碳化硅衬底（

  晶圆 碳化硅 416浏览量

• 修屏 4.0 时代：新启航数字孪生技术如何实现激光修屏修复工艺远程优化？2025-07-01 09:55

  

  一、修屏 4.0 时代的技术特征 修屏 4.0 时代以智能化、数字化、远程化协同为核心特征。传统修屏依赖人工经验与现场调试，而 4.0 时代通过数字孪生、物联网、人工智能等技术融合，实现修复全流程的虚拟映射与动态优化。新启航数字孪生技术打破时空限制，构建激光修屏 “物理设备 - 虚拟模型 - 数据交互” 闭环，为远程优化修复工艺提供技术支撑。 二、新启航数

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• 基于机器视觉的碳化硅衬底切割自动对刀系统设计与厚度均匀性控制2025-06-30 09:59

  

  一、引言 碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料的代表，以其卓越的物理化学性能，在新能源汽车、轨道交通、5G 通信等关键领域展现出不可替代的作用。然而，SiC 材料硬度高、脆性大的特性，给其衬底切割加工带来了极大挑战。传统切割方法存在切割精度低、效率慢、厚度均匀性差等问题，严重制约了 SiC 器件的性能与生产规模。在此背景下，开发基于机器视觉的碳化硅衬底切割

  晶圆 机器视 碳化硅 714浏览量

• 柔性屏激光修屏禁区突破：新启航如何实现曲面 OLED 面板的无损修复？2025-06-28 09:48

  

  一、引言 柔性 OLED 面板凭借其轻薄、可弯曲等特性，在智能终端、可穿戴设备等领域广泛应用。然而，生产过程中面板易出现缺陷，传统修复方法难以满足曲面 OLED 面板的无损修复需求。新启航半导体有限公司在激光修屏技术上取得突破，为曲面 OLED 面板修复提供了新路径。 二、曲面 OLED 面板特性与修复难点 2.1 结构与特性 曲面 OLED 面板主要

  OLED 激光屏 602浏览量

• 循环经济 2.0：海翔科技如何用区块链技术追溯二手设备全生命周期2025-06-27 09:58

  

  摘要：在循环经济 2.0 时代，资源高效利用与透明化管理成为核心诉求。海翔科技创新性地将区块链技术应用于二手半导体设备全生命周期追溯，为行业发展提供新范式。本文通过分析循环经济 2.0 背景下的行业需求，阐述区块链技术在二手设备追溯中的应用路径、优势及面临的挑战，揭示海翔科技如何借助技术创新推动二手设备产业升级。 一、引言 循环经济 2.0 强调在资源循

  区块链技术 设备 774浏览量

• 自动对刀技术对碳化硅衬底切割起始位置精度的提升及厚度均匀性优化2025-06-26 09:46

  

  摘要：碳化硅衬底切割对起始位置精度与厚度均匀性要求极高，自动对刀技术作为关键技术手段，能够有效提升切割起始位置精度，进而优化厚度均匀性。本文深入探讨自动对刀技术的作用机制、实现方式及其对切割工艺优化的重要意义。 一、引言 碳化硅衬底是第三代半导体器件的核心基础材料，其切割质量直接影响器件性能与成品率。在碳化硅衬底切割过程中，起始位置精度不足会导致切割路径偏

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• 碳化硅衬底切割进给量与磨粒磨损状态的协同调控模型2025-06-25 11:22

  

  摘要：碳化硅衬底切割过程中，进给量与磨粒磨损状态紧密关联，二者协同调控对提升切割质量与效率至关重要。本文深入剖析两者相互作用机制，探讨协同调控模型构建方法，旨在为优化碳化硅衬底切割工艺提供理论与技术支撑。 一、引言 碳化硅凭借优异的物理化学性能，成为第三代半导体材料的核心。在其衬底加工环节，切割是关键工序。切割进给量直接影响切割效率与材料去除率，而磨粒磨损

  碳化硅 567浏览量

• 晶圆边缘 TTV 测量的意义和影响2025-06-14 09:42

  

  摘要：本文探讨晶圆边缘 TTV 测量在半导体制造中的重要意义，分析其对芯片制造工艺、器件性能和生产良品率的影响，同时研究测量方法、测量设备精度等因素对测量结果的作用，为提升半导体制造质量提供理论依据。 关键词：晶圆边缘；TTV 测量；半导体制造；器件性能；良品率 一、引言 在半导体制造领域，晶圆总厚度偏差（TTV）是衡量晶圆质量的关键指标之一，而晶圆边

  晶圆 测量 496浏览量

• 基于进给量梯度调节的碳化硅衬底切割厚度均匀性提升技术2025-06-13 10:07

  

  碳化硅衬底切割过程中，厚度不均匀问题严重影响其后续应用性能。传统固定进给量切割方式难以适应材料特性与切割工况变化，基于进给量梯度调节的方法为提升切割厚度均匀性提供了新思路，对推动碳化硅衬底加工技术发展具有重要价值。 技术原理分析 梯度调节依据 碳化硅硬度高、脆性大，切割起始阶段，材料表面完整，刀具与材料接触状态稳定，可采用相对较大的进给量提高加工效率

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• 切割进给量与碳化硅衬底厚度均匀性的量化关系及工艺优化2025-06-12 10:03

  

  引言 在碳化硅衬底加工过程中，切割进给量是影响其厚度均匀性的关键工艺参数。深入探究二者的量化关系，并进行工艺优化，对提升碳化硅衬底质量、满足半导体器件制造需求具有重要意义。 量化关系分析 切割机理对厚度均匀性的影响 碳化硅硬度高、脆性大，切割过程中，切割进给量直接影响切割力大小与分布 。当进给量较小时，切割工具与碳化硅衬底接触区域的切削力相对较小且稳定

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