深圳市浮思特科技有限公司文章

• 意法半导体推出全新STM32U3微控制器，物联网超低功耗创新2025-03-13 11:09

  

  近日，意法半导体(STMicroelectronics)宣布推出新一代STM32U3微控制器(MCU)，旨在为物联网(IoT)设备带来革命性的超低功耗解决方案。这款新产品不仅延续了意法半导体在超低功耗MCU领域的技术积累，更通过一系列创新设计，推动物联网应用的高效能和长续航。STM32U3微控制器搭载了最高96MHz的ARMCortex-M33核心，具备市场

  STM32 微控制器 意法半导体 物联网 1282浏览量

• TRINNO特瑞诺 TGAN25N120ND N沟槽IGBT：感应加热和软开关领域新标杆2025-03-13 11:05

  

  在现代电力电子行业中，IGBT(绝缘栅双极型晶体管)作为一种高效的功率开关器件，广泛应用于各类电力转换设备。TRINNO(特瑞诺)旗下的TGAN25N120NDNPTTrenchIGBT以其卓越的性能和广泛的应用前景受到了大家的青睐。本文将为您详细介绍这一优质功率器件的特点及其应用领域。图1：TGAN25N120NDIGBT卓越的技术特点TGAN25N120

  IGBT 功率开关器件 晶体管 1289浏览量

• 英飞凌2024年MCU市场份额飙升，首次夺得全球微控制器市场首位2025-03-12 11:42

  

  近日，根据市场研究机构Omdia发布的最新报告，英飞凌科技公司(InfineonTechnologiesAG)在2024年的微控制器(MCU)市场份额预计将达到21.3%，相比2023年的17.8%增长了3.5个百分点。这一显著的增长幅度使英飞凌在同业中成为增幅最大的企业，并且标志着其在公司历史上首次在全球微控制器市场登顶。微控制器是现代电子设备的核心组件，

  mcu 微控制器 英飞凌 1024浏览量

• 突破电动汽车动力系统的技术瓶颈：先进的SiC沟槽技术2025-03-12 11:40

  

  随着汽车市场向主流采用加速，电力电子技术已成为创新的基石，推动了卓越的性能和效率。在这一技术演变的前沿，碳化硅(SiC)功率模块作为一项关键进展，重新定义了电动动力系统的能力。电动汽车的日益普及依赖于延长车辆续航里程和降低电池成本。这可以通过减少能量损失和提升逆变器中功率模块的紧凑性来实现。由于SiC功率器件能够实现比传统硅基器件更低的能量损失，因此它们引起

  SiC 动力系统 电动汽车 1063浏览量

• 英飞凌推出新款辐射耐受P沟道MOSFET，助力低地球轨道应用2025-03-11 11:39

  

  英飞凌(Infineon)近日宣布，扩大其辐射耐受功率MOSFET系列，新增P沟道功率MOSFET，以满足日益增长的低地球轨道(LEO)空间应用需求。这一新产品的推出，标志着英飞凌在为新一代“新空间”应用提供高效、可靠的功率器件方面迈出了重要一步。随着航天技术的迅猛发展，LEO卫星星座和其他空间系统的部署需求持续上升。为了成功实施这些次世代项目，工程师们需要

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• 智能计算新纪元：具记忆功能的晶体管问世2025-03-11 11:34

  

  在当今电子工业中，对更快、更高效组件的需求巨大，以满足现代计算的需要。传统晶体管正逐渐达到其物理和操作极限，它们在数据中心中消耗大量能源和空间，尤其是在需要数十亿个晶体管来存储和处理数据的场景下。随着数字数据的急剧增长，这种方法变得不可持续。来自约翰霍普金斯大学的研究团队发现了一种新型记忆电阻器(memristor)，能够拥有更丰富的记忆，提升其效率。该研究

  晶体管 智能计算 电阻器 682浏览量

• Marvell展示2纳米芯片3D堆叠技术，应对设计复杂性挑战！2025-03-07 11:11

  

  随着现代科技的迅猛发展，芯片设计面临着前所未有的挑战。特别是在集成电路(IC)领域，随着设计复杂性的增加，传统的光罩尺寸已经成为制约芯片性能和功能扩展的瓶颈。为了解决这一问题，3D堆叠技术应运而生，成为应对这些挑战的重要手段。近期，Marvell公司在这一领域取得了重大进展，展示了其采用台积电最新2纳米制程的矽智财(IP)解决方案，用于AI和云端基础设施芯片

  Marvell 台积电 芯片设计 912浏览量

• SiC与GaN技术专利竞争：新兴电力电子领域的创新机遇2025-03-07 11:10

  

  在过去十年中，碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)技术的迅速崛起显著重塑了电力电子行业。这些宽禁带材料提供了诸多优势，如降低功率损耗、更高的开关速度以及能够在高温下工作，使其特别适用于电动汽车(EV)、可再生能源系统和先进通信技术等应用。专利申请通常是一个领域研发和商业活动水平的有力指标。从图1可以看出，SiC和GaN基础的电力电子技术的专利申请趋势在过去十年

  GaN SiC 氮化镓 883浏览量

• 三星电子成功研发量子耐性安全芯片S3SSE2A 应对未来网络安全挑战2025-03-05 13:56

  

  近日，三星电子系统LSI事业部宣布成功研发出一款名为S3SSE2A的安全芯片，以应对不断发展的量子电脑技术所带来的网络安全威胁。这款芯片不仅已完成样品出货准备，更在行业内率先采用了量子耐性口令(PQC)技术，标志着三星在移动产品安全领域的又一重要进展。量子计算机的快速发展正在对传统的公钥加密(PKC)技术构成严重威胁。现有的加密算法，如RSA和ECC等，在面

  三星电子 网络安全 量子芯片 938浏览量

• 详解晶闸管工作原理，全面掌握开关控制技术2025-03-05 13:53

  

  晶闸管是具有双稳态行为的三端电子元件。控制端称为“门极”(G)。另外两个端子，阳极(A)和阴极(K)，与负载串联导通电流，并且能够承受高电压。这些元件被用作电子开关。简介晶闸管用于直流和交流电路中的开关和功率控制电路。与晶体管不同，大多数晶闸管的门极信号可以移除，它们仍会保持导通状态。晶闸管设计用于处理高电流和高电压，甚至超过1kV或100A。它们是具有四个

  二极管 控制电路 晶闸管 电子元件 3582浏览量