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电阻率在电子电力学中为何如此重要?2025-04-01 10:39
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Vishay推出第4.5代650V E系列高效能电源MOSFET2025-03-27 11:49
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创新非对称瞬态电压抑制二极管在SiC MOSFET门保护中的应用2025-03-27 11:48
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探讨RC电路在逆变器设计中的应用与限制2025-03-26 12:00
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全球芯片产业进入2纳米竞争阶段:台积电率先实现量产!2025-03-25 11:25
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智能功率模块在电动机驱动逆变器中的应用与优势分析2025-03-25 11:23
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Vicor在台湾推广48V电源模块:模块化设计的市场竞争优势2025-03-24 11:38
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浮思特 | 创新互补模型:提升功率电子转换器设计与仿真的新方法2025-03-24 11:36
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Microchip Technology委托麦格理集团出售亚利桑那州晶圆厂二号2025-03-21 11:26
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SiC MOSFET在3-kW LLC变换器设计中的优势2025-03-21 11:25
使用宽带隙半导体材料(如碳化硅或氮化镓)制造的电源开关现在在电力变换器中得到了广泛应用。SiC晶体管的高速开关特性以及低反向恢复电荷,或氮化镓HEMT的零反向恢复电荷,使设计师能够制造比基于硅的替代品更小且高效的电力系统。然而,尽管氮化镓和碳化硅有如此多的优势,这些开关类型与经过验证的硅MOSFET或IGBT相比仍显得有些陌生。FutureElectroni