深圳市浮思特科技有限公司文章

• 浮思特 | 高温高栅压耦合加速IGBT性能劣化机制与防护2025-07-15 09:57

  

  IGBT(绝缘栅双极型晶体管)作为现代电力电子系统的核心开关器件，其长期可靠性直接关系到设备寿命与运行安全。在诸多应力因素中，高栅极电压(Vge)与工作温度(Tj)的协同作用，往往成为加速器件内部劣化、引发早期失效的关键诱因。本文深入探讨该耦合效应背后的物理机制，并基于实验数据提出缓解策略。栅极电压与IGBT可靠性基础IGBT的栅极结构类似于MOSFET，其

  IGBT 开关器件 电压 2972浏览量

• 瑞萨电子推出650伏氮化镓场效应晶体管，推动高效电源转换技术2025-07-14 10:17

  

  在电源转换技术不断进步的背景下，瑞萨电子(RenesasElectronics)近日推出了三款新型650伏氮化镓场效应晶体管(GaNFET)，专注于满足数据中心、工业以及电动交通应用对高效能和高密度电源转换的需求。这三款晶体管支持功率范围从1千瓦到10千瓦及以上，适用于各种新兴的800伏高压直流拓扑结构。随着人工智能(AI)、电动汽车(EV)和可再生能源的迅

  晶体管 氮化镓 瑞萨电子 3437浏览量

• 浮思特 | 如何开发高效可靠的人机界面(HMI)：实践与考量2025-07-14 10:16

  

  在复杂设备控制系统的开发中，为不同角色的使用者(如操作员、管理员、维护人员)设计合适的交互界面至关重要，这便是人机界面(HMI)的核心任务。HMI形式多样，从紧凑的嵌入式LCD屏到大型工业触摸屏，乃至支持远程操作的Web或App界面，其设计质量直接影响设备的易用性、效率和安全性。需求定义：成功的基石敏捷开发模式在HMI设计中颇为流行，通过迭代冲刺推进需求、设

  HMI 人机界面 嵌入式 706浏览量

• 三星电子全力推进2纳米制程，力争在2025年内实现良率70%2025-07-11 10:07

  

  根据韩国媒体ChosunBiz的报道，三星电子的晶圆代工事业部正在全力押注其2纳米制程技术，目标是在2025年内实现良率提升至70%。这一战略旨在吸引更多大客户订单，进一步巩固其在半导体市场中的竞争地位。业界普遍认为，目前三星的2纳米制程良率仍不足30%。虽然有内部消息称其初期良率已优于以往的制程技术，但在量产阶段，三星能否与国际竞争对手台积电抗衡仍然是一个

  三星电子 晶圆 芯片 1408浏览量

• 浮思特 | 超越传统：集成电流传感器IC的技术解析与应用优势2025-07-11 10:06

  

  在电力电子系统设计中，精确、可靠且紧凑的电流检测是实现高效控制、系统保护和能源优化的基石。传统方案(如分流电阻+隔离运放)虽然成熟，但在集成度、隔离性能和抗干扰能力上面临挑战。LEM公司的集成电流传感器IC(CurrentSensorICs)，基于创新的霍尔效应与差分测量技术，为工程师提供了一种革命性的解决方案。什么是集成电流传感器IC?集成电流传感器IC是

  IC lem 传感器IC 电流传感器 1238浏览量

• 全球半导体市场持续增长 2025年5月销售额达590亿美元2025-07-10 10:05

  

  根据美国半导体行业协会(SIA)发布的最新数据，2025年5月全球半导体销售额达到590亿美元，较2024年5月的492亿美元增长了19.8%。这一增长趋势不仅反映了半导体市场的复苏，也显示出行业需求的持续上升。SIA总裁兼首席执行官JohnNeuffer表示，5月全球半导体销售表现强劲。不仅高于4月份的销售总额，也远超去年同期的水平。这一销售增长的背后，反

  人工智能 半导体 1254浏览量

• 浮思特 | (ABOV)现代单片机在现代嵌入式系统中的应用与技术趋势2025-07-10 10:03

  

  当今，微控制器(MCU)已成为最核心的计算技术之一，其存在是所有嵌入式应用的基础。微控制器提供了无数计算解决方案，有些甚至专为特定应用场景设计，例如电机控制。电机控制应用通常通过组合专用电机控制单元和系统控制单元来实现，两者均采用微控制器及相关软件。部分微控制器专为同时控制多台永磁电机而设计，可应用于空调、洗衣机、洗碗机等设备。此外，工业领域的通用变频器、不

  单片机 嵌入式系统 微控制器 1465浏览量

• 混合SiC/IGBT逆变器能否成为电动汽车的最优解?2025-07-09 09:58

  

  绝缘栅双极晶体管(IGBT)和碳化硅(SiC)MOSFET是现代电动汽车牵引系统的核心元件。尽管IGBT以鲁棒性和成本效益著称，但其固有的高开关损耗和较慢开关速度会降低系统效率，尤其在高频和低负载工况下表现更为明显。相比之下，基于SiC的逆变器虽具有更低开关损耗和更高效率，但其制造成本较高且依赖先进工艺。混合SiC/IGBT方案旨在融合SiC的高效快速与IG

  IGBT SiC 电动汽车 逆变器 3194浏览量

• 浮思特 | SiC MOSFET 封装散热优化与开尔文源极结构2025-07-08 10:28

  

  本文探讨了近期在碳化硅(SiC)MOSFET器件封装与设计方面的进展，重点关注顶部冷却封装方案及其在提升热性能、降低开关损耗方面的作用，以及开尔文源极连接结构对高频应用效率的优化效果。同时分析了新一代SiCMOSFET器件在平衡特定导通电阻(Rsp)与短路耐受时间(SCWT)方面的结构设计思路。PowerMaster扩展了其增强型碳化硅(eSiC)MOSFE

  MOSFET SiC 封装 883浏览量

• 台积电宣布逐步退出氮化镓晶圆代工业务，力积电接手相关订单2025-07-07 10:33

  

  近日，全球半导体制造巨头台积电(TSMC)宣布将逐步退出氮化镓(GaN)晶圆代工业务，预计在未来两年内完成这一过渡。这一决定引起了行业的广泛关注，尤其是在当前竞争激烈的半导体市场环境中。据供应链消息，台积电退出GaN市场的原因主要与中国大陆市场的低价竞争有关。近年来，随着氮化镓技术的成熟和应用需求的增长，许多厂商纷纷进入这一领域，导致价格竞争加剧。面对不断上

  力积电 台积电 晶圆 氮化镓 3904浏览量