深圳市浮思特科技有限公司文章

• 新型IGBT和SiC功率模块用于高电压应用的新功率模块2025-05-06 14:08

  

  近日，英飞凌、三菱和Navitas分别推出了多款新型功率模块，旨在提升电动汽车及工业应用的效率和可靠性。这些优化的模块不仅能够降低能量损失，还能在极端环境下稳定运行，标志着电力电子技术的又一次进步。英飞凌发布了新一代的IGBT和RC-IGBT裸芯片，特别针对400V和800V电动汽车架构的电驱动系统。其EDT3系列模块适用于750V和1200V的电力系统，相

  IGBT SiC 高电压 627浏览量

• AI人工智能崛起：高性能MOSFET如何重塑能效架构2025-05-06 14:03

  

  本文将聚焦AI对数据中心架构的影响，以及这些变化对服务器和机架技术的意义。具体而言，我们将探讨转向48V架构如何提升数据中心能效，以及高性能硅基MOSFET如何应用于服务器、机架及相关设备以支持这一架构演进。数据中心与电力当前数据中心约占全球总用电量的2%，但到2030年可能攀升至7%。直观来看，届时全球数据中心的整体用电量将与当今印度全国的电力消耗规模相当

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• 芯联集成2024年营收65.09亿元：SiC业务领跑亚洲2025-04-30 11:54

  

  近日，国内半导体龙头芯联集成发布2024年全年业绩公告。数据显示，公司全年实现营业收入65.09亿元，其中主营业务收入62.76亿元，同比增长27.8%;归母净利润大幅减亏超50%，毛利率首次转正至1.03%，标志着公司经营质量显著提升。作为第三代半导体核心材料，碳化硅(SiC)的产业化进展备受关注。芯联集成在SiCMOSFET领域表现亮眼，出货量稳居亚洲市

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• 面板驱动IC市场动态解析：策略调整与价格走势2025-04-29 11:49

  

  根据全球知名市场研究机构TrendForce的最新研究报告，今年上半年，面板行业品牌在操作策略上的调整，间接改变了面板驱动IC(DriverIC)的价格走势。这一趋势引发了业内人士的关注，尤其是在全球经济不确定性加大的背景下，面板驱动IC的市场动态尤为重要。在过去的几个月中，各大品牌厂和面板厂相继调整了备货节奏。这种调整使得库存水平逐渐回归到一个更为健康的状

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• 浮思特 | 莱姆电子(LEM)高精度数字电流传感器技术解析2025-04-29 11:47

  

  在电力电子系统中，电流测量精度与可靠性直接影响系统性能。作为全球电流传感器技术领导者，莱姆电子(LEM)推出的HMSRDA系列数字传感器，通过多项专利技术创新，为现代工业与汽车电子提供了突破性解决方案。图1核心技术创新1、Σ-Δ数字调制架构莱姆电子独有的二阶Σ-Δ调制技术，实现模拟信号到数字比特流的直接转换。该技术已应用于HMSRDA系列，具备三大技术特性：

  lem 传感器 电流传感器 1240浏览量

• 意法半导体收购多伦多初创公司Deeplite，助力边缘AI技术发展！2025-04-28 11:28

  

  近日，意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)宣布已成功收购加拿大多伦多的初创公司Deeplite。这一战略性收购旨在加强意法半导体在边缘人工智能(AI)技术领域的布局，并将Deeplite打造为其全资子公司，以便在未来更好地开发和推广先进的边缘AI解决方案。Deeplite成立于2019年，是一家专注于AI模型优化的软件公司。其核心技术

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• 浮思特 | SiC技术2025：突破性进展与产业变革2025-04-28 11:27

  

  随着电动汽车、可再生能源系统和高性能计算等新兴技术将传统硅技术推向极限，材料科学正在不断发展以满足新的性能需求。功率半导体技术面临着在多样化严苛应用中实现更高电压运行、更优热管理和更高能效的压力。图12024年，碳化硅功率电子领域取得多项重大进展，这一趋势持续至2025年。Soitec的工程化碳化硅基板在电子行业中，MOSFET、IGBT和肖特基二极管等开关

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• SemiQ新一代1200V SiC MOSFET模块：高效能、超快开关与卓越热管理2025-04-25 11:39

  

  近日，半导体技术公司SemiQ宣布推出基于第三代碳化硅(SiC)技术的1200VSOT-227MOSFET模块系列。该系列产品采用先进的共封装设计，具备更快的开关速度、更低的导通与开关损耗，适用于太阳能逆变器、储能系统、电动汽车充电以及高效服务器电源等高性能电力电子应用。SemiQ此次发布的SiCMOSFET模块采用优化的芯片设计，相比前代产品，芯片尺寸更小

  SemiQ SiC 碳化硅 911浏览量

• 浮思特 | 从硅基到宽禁带：逆变器功率器件的代际跨越与选型策略2025-04-25 11:34

  

  近年来，电力电子技术取得了重大进展。从电动汽车到可再生能源系统，逆变器在直流电转换为交流电的过程中发挥着关键作用。传统上，绝缘栅双极晶体管(IGBT)等硅基功率器件因其可靠性和成熟的制造体系，长期主导着逆变器设计领域。然而，碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽禁带(WBG)功率器件的出现正在重塑行业格局。这些器件具有更高效率、更大功率密度、更快开关频率和更

  功率器件 宽禁带 逆变器 721浏览量

• 韩国对华半导体出口锐减23.5%，贸易逆差现象引发关注2025-04-24 11:33

  

  根据韩国产业通商资源部发布的最新数据显示，今年第一季度，韩国对华出口总额达288亿美元，其中半导体出口额为137.3亿美元，占对华出口总额的47%。然而，令人关注的是，韩国对华半导体出口额较去年同期的179.4亿美元下降了23.5%。这一趋势引发了广泛的关注，也暴露出中韩贸易关系中的新动向。对于半导体出口的显著下降，分析人士指出，主要有两个方面的原因。首先，

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