智美行科技文章

• 电子材料抗离子迁移方案！东亚合成 IXE/IXEPLAS，智美行科技免费试样2025-12-16 16:07

  

  离子迁移是电子材料失效的主要原因之一，封装材料中的 Na⁺、Cl⁻、Cu²⁺、Ag⁺等杂质离子，在电场、温湿度等环境因素作用下，会从材料内部迁移到布线表面或间隙中，形成导电通路，引发布线腐蚀、电路短路、产品失效等问题。东亚合成株式会社研发的 IXE/IXEPLAS 系列无机离子捕捉剂，通过高效捕捉杂质离子，从源头阻断离子迁移路径，为电子材料提供全方位的抗离子

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• 微粒子 + 双离子交换！IXEPLAS 系列，智美行科技免费送样助力精细电子制造2025-12-16 16:03

  

  随着电子设备向小型化、高密度、高精度方向发展，精细封装、狭窄间距布线等技术得到广泛应用，这对离子捕捉剂提出了更高要求：不仅要能高效去除杂质离子，还需具备小粒径、低添加量、与精细材料兼容等特性。东亚合成株式会社针对性研发的 IXEPLAS 系列超微粒子离子捕捉剂，以 “微粒子设计 + 双离子交换” 为核心亮点，完美适配精细电子制造需求。

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• 场景化适配！K88 系列连接器为何能成为多行业首选？2025-12-10 17:26

  

  一款优质的连接器，不仅需要具备出色的性能参数，更要能适配多元场景的实际需求。日本端子K88系列SMT连接器凭借全面的功能设计与稳定的核心性能，已在消费电子、工业控制、汽车电子、物联网设备等多个领域崭露头角，成为众多研发团队的首选产品。消费电子：小型化与可靠性的完美平衡如今的智能手机、平板电脑、可穿戴设备等消费电子产品，对内部空间的利用率要求极高。K88系列1

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• 细节见真章！K88 系列连接器的 10 大核心优势，破解行业痛点2025-12-10 17:25

  

  连接器作为电子设备的“神经节点”，其设计细节直接影响产品的稳定性、装配效率与使用寿命。日本端子株式会社深耕连接技术半世纪，推出的K88系列SMT连接器，凭借10大核心优势，精准破解了行业常见的装配误插、接触不良、空间受限等痛点。1.省空间+灌封兼容，适配小型化需求K88系列采用1.5mmpitch×2列的紧凑布局，在同pitch产品中处于行业最小尺寸级别。同

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• 行业首创！日本端子 K88 系列连接器，1.5mm pitch 实现省空间与高可靠性双赢2025-12-10 17:23

  

  在电子设备小型化、集成化的浪潮下，连接器的“空间利用率”与“可靠性”成为研发团队的核心诉求。日本端子株式会社（NipponTanshi）全新推出的K88系列SMT连接器，以1.5mmpitch的紧凑设计打破行业局限，更凭借多项创新技术，成为省空间场景下的性能标杆。作为1.5mmpitch领域的行业首创，K88系列最引人注目的便是将杠杆接点收纳于内部的盒式接收

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• 实战选型指南：如何为您的下一代设备挑选最合适的1.5mm板对板连接器？2025-12-09 16:59

  

  面对市场上琳琅满目的1.5mm间距连接器，硬件工程师如何做出最优选择？这不仅关乎成本，更直接影响到产品的可靠性、可生产性和未来维护的便利性。本文将从实战角度出发，梳理出一份详尽的选型评估清单，帮助您拨开迷雾，找到最适合您项目需求的“那一个”。

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• 赋能自动化制造：高密度SMT连接器的“生产友好型”设计解析2025-12-09 16:55

  

  对于电子制造工程师而言，元器件的“可制造性”（Design for Manufacturing, DFM）与电气性能同等重要。一个难以贴装、易出错、效率低下的连接器，会直接拉高生产成本、降低良率。本文将深入探讨，一款优秀的1.5mm间距SMT连接器，是如何从细节入手，赋能现代自动化制造流程的。

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• 突破高密度连接瓶颈：1.5mm间距SMT连接器的三大可靠性设计揭秘2025-12-09 16:52

  

  在当今电子产品设计向着小型化、模块化狂奔的时代，板对板（Board-to-Board）连接器作为系统内部的“骨架”，其性能至关重要。尤其是主流1.5mm间距的双列SMT连接器，其可靠性直接决定了整机设备的品质与寿命。工程师们在选型时，常常面临一个核心矛盾：如何在追求更高密度的同时，确保连接的长久稳定与生产的高效可靠？近期，一款在内部结构、插拔体验和安全防护上

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• 工程师实战指南：关于离子捕捉剂应用的五个关键问题与解答2025-12-08 16:38

  

  在考虑使用离子捕捉剂时，工程师们常有一些具体的实操疑问。本文收集了五个最具代表性的问题，并结合东亚合成IXE系列的产品特性，给出清晰的技术解答，为您扫清应用障碍。

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• 超越防护：离子捕捉剂如何在宽禁带半导体封装中扮演更关键角色？2025-12-08 16:36

  

  随着碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等宽禁带半导体走向普及，其封装材料面临更高温度、更高电压的极端考验。传统的离子防护理念亟待升级。本文将探讨在此背景下，高性能离子捕捉剂如何从“被动防御”转向“主动保障”，成为高可靠性设计的核心一环。

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