文章
-
一文搞懂IGBT的损耗与结温计算,图文结合+计算公式步骤2026-08-14 11:05
-
阻抗是什么?什么时候要考虑阻抗匹配?2026-08-13 11:05
-
PCB板“ESD保护电路设计”实战经验分享!!!2026-08-12 11:04
-
工程师离不开的那些电路设计工具…2026-08-11 11:02
-
硬件高手设计电路,多想了哪几个问题?2026-08-10 11:05
-
三种LED驱动电路设计,负反馈在运算放大器中的作用2026-08-07 11:04
-
尖峰抑制——缓冲电路的设计方法2026-08-06 11:03
摘要:近几年,SiCMOSFET作为各种各样的电源应用和电源线的开关元件,其应用范围在迅速地扩大中。其中一个主要原因是与以前的功率半导体相比,SiCMOSFET使得高速开关动作成为可能。不过,由于开关的时候电压和电流的急剧变化,元件自身的封装电感和周边电路的布线电感影响变得无法忽视,导致漏极源极之间会有很大的电压尖峰。这个尖峰不可超过使用的MOSFET的最大 -
数字电路之如雷贯耳的“时序电路”2026-08-04 11:04
-
科普:一秒读懂电子元器件封装2026-08-03 11:04
-
基本放大器电路,还不赶紧收藏!2026-07-31 11:03