SIP(封装系统),SIP(封装系统)是什么意思

SIP的优势特性
SIP技术已有若干重要突破，架构上将芯片平面置放改为堆叠式封装的精、密度增加，性能大大提高，代表着封装技术的发展趋势，在多方面存在极大的优势特性，现大体归纳如下：

①SIP采用一个封装来完成一个系统目标产品的全部互连以及功能和性能参数，可同时利用引线键合与倒装焊互连以及别的IC芯片直接内连技术；

②封面积比增大，SIP在同一封装中叠加两个或更多的芯片，把Z方向的空间也利用起来，又不必增加封装引脚，两芯片叠装在同一壳内的封装与芯片面积比增加到170％，三芯片叠装可增至250％；

③在物理尺寸上必定是小的，例如，SIP封装体的厚度不断减少，最先进的技术可实现五层堆叠芯片只有1．0mm厚的超薄封装，三叠层芯片封装的重量减轻35％；

④SIP可实现不同工艺，材料制作的芯片封装形成一个系统，有很好的兼容性，并可实现嵌入集成化无源元件的梦幻组合，无线电和便携式电子整机中现用的无源元件至少可被嵌入30-50％，甚至可将Si、GaAs、InP的芯片组合一体化封装；

⑤SIP可提供低功耗和低噪声的系统级连接，在较高的频率下工作可以获得较宽的带宽，几乎与SOC相等的总线带宽；

⑥元件集成封装在统一的外壳结构中，可使总的焊点大为减少，也缩短了元件的连线路程，从而使电性能得以提高；

⑦缩短产品研制和投放市场的周期，SIP在对系统进行功能分析和划分后，可充分利用商品化生产的芯片资源，经过合理的电路互连结构及封装设计，易于修改、生产，力求以最佳方式和最低成本达到系统的设计性能，无需像SOC那样进行版图级布局布线，从而减少了设计、验证、调试的复杂性与系统实现量产的时间，可比SOC节省更多的系统设计和生产费用，投放市场的时间至少可减少1／4；

⑧采取多项技术措施，确保SIP具有良好的抗机械和化学侵害的能力以及高可靠性。

毫无疑问，SIP与SOC、多芯片组件MCM等有很多惊人的相似之处，分别提供实现不同级别电子系统的变通方法，尽管存在区别但并不是相互对立的技术，而是相辅相成适应市场的需求。SOC面临多项制约，如研发成本高，设计周期长，验证及生产工艺复杂等，在某些情况下是最佳选择，但绝不是所有系统级集成的唯一选择，多用于相对高端的市场，MCM将两个以上裸芯片和片式元器件组装在一块高密度多层互连基板上，然后封装在外壳内构成高密度功能电子组件、部件、子系统或系统，多采用混合集成技术，主要应用于有高可靠性要求而不太计较价格因素的高性能的电子领域中。与此相反，SIP是针对某个系统进行功能划分，选择优化的IC芯片及元件来实现这些功能，采用成熟的高密度互连技术与单芯片封装相同或相似的设备、材料、工艺技术制作生产，在封装中构成系统级集成，提高性能的同时降低成本，以其很高的性价比应用于中端市场。SIP的很多优势特性逐渐显露出来，所提出的最终目标是要研发获得能够灵活地将无源和有源元器件完全封装集成到一起构成系统的新技术。

SIP产品架构
SIP以满足手机等便携式电子整机产品的体积不断减小，功能日趋复杂的要求为发展契机，市场上已出现多种SIP产品架构，首次应用是将一个2Mb的SRAM和一个16Mb的闪存芯片叠加在一个封装中，实现EEPROM功能，用于手机。此后，很多顶级半导体厂商推出SIP叠层式存储器，可使小空间更快地存储更多数据，支持手机添加数据业务、数相机、娱乐、超小型PC等多种功能。Intel最先进的SIP技术可以让五层堆叠的闪存芯片达到1.0mm薄的超薄封装，已推出的5种产品具有X 16和X 32总线宽度以及SRAM、PSRAM、LP-SDRAM功能，存储容量可达1Gb，芯片采用多极单元MLC技术与0．13μm工艺制造。开发出六片芯片SIP，其上部为四个芯片，底部是两个芯片，尺寸大小为15×11×1.4mm，进一步支持手机的存储容量越来越大的需要。在单块存储卡上SIP集成多个闪存芯片，将使手持设备能够存储数十分钟长度的DVD视频，成千上万的高分辨率图像，超过30小时的数字音乐，或者数千兆的数据文件等信息，现在闪存芯片发展到0．09μm工艺，0．07μm和0．05μm的新一代工艺技术也已开始研发，有什么样的芯片，就需要相适应的封装，从过去的单一封装壳体演变成与被封装体不可分割的一部分，封装已涉及到被封装体内，IC生产流程的集中整合和继续垂直细分的趋势同时存在，两种截然相反的发展最终取决于生产体系的成本最小化因素。

从早期的将两个、三个或更多存储芯片叠装在同一壳体内，满足高速数据速率的存储带宽的需求外，扩展到把不同种类芯片叠装到一个壳内，开发包括数字信号处理器DSP+SRAM+闪存，专用集成电路ASIC+存储器，数字+模拟十射频，微控制器+存储器等其它的SIP应用。现代电子系统大都需要完成两种类型的运算，因而需要采用双处理器的CPU+DSP解决方案，DSP用于完成语音、图像、视频、音频信号的重复性复杂性运算的实时处理，CPU刚用于完成电源管理，人机界面协议栈操作，易于实现灵活控制，两者各有短长，有融合的趋势，两个核封装在一起，或将DSP的内核移植到单片PCU中的SOC集成。SIP智能功率器件将系统的控制部分和功率场效应MOS晶体管及驱动、保护、辅助电路等，融合于紧凑、性能强劲的绝缘式封装内。在1．6×1．6×0．6mm的SOT553／563单封装内集成多个瞬变电压抑制元件，形成微型封装集成瞬态电压保护器件，减少占用电路板空间达36％，降低厚度40％。对SIP产品架构方式的研发集中在片对片、片叠片、封装在超薄型外壳内再垂直叠放、衬底直焊等方面，芯片之间多数采用周边互连，某些是用阵列式互连，也有采用直接式；间接式两大类的互连，或晶圆级超级减薄露出内连柱及键合形成的互连，作为有系统功能的整体IC应用，但又不是一个单一的芯片。

SIP最张扬的架构是可以在封装内封装集成无源元件，首先将无源元件小型化及集成化后，再封装在统一的封装结构中，有一种简化结构：基板20mm2，厚2mm，中心挖凹槽，以便镶嵌一个约10mm见方、0．3mm薄的IC芯片(开凹槽可以降低总体厚度，降低厚度对于整机产品设计是非常关键的要求)，芯片上方与基板平齐，下方与基板之间充填10μm厚的环氧树脂作胶接剂；芯片上方排列着100个直径为67μm的接点，其间充填聚酰亚胺；接点上方制成各种电容、电阻及铜导体，它们之间以环氧树脂绝缘。封装内无源元件的集成化有LTCC和低温共烧铁氧体LTCF等技术，分别形成集成电容器、电阻器、电感器、平面变压器、EMI滤波器和EMI磁珠阵列等无源元件的陶瓷基板、磁性基板，尽可能多地将各种无源元件集成在一个单独的封装结构内，与在多层印制电路板中埋置无源元件、无源元件制作在硅芯片上同步发展。Philips的BGBl02体现了全新的SIP，在一个传统的超小型6×6mmHVQFN封装中结合了有源和无源元器件，综合了所有的射频组件，如收发器、平衡／不平衡变换器、切换和天线滤波器等，极大地简化了蓝牙应用的开发和生产。有一种2．4GHz的SIP产品，将射频、8051MCU、9通道12位。A／DC、外围元件、电感和滤波器全部集合在尺寸6×6mm的QFN封装中。还开发出存储器与基带IC的集合架构，在一个封装中集成了ASIC、CPU、同步DRAM、闪存各一片。

SIP的相关技术
SIP是IC产业链发展中的知识、技术、方法相互渗透交融，综合应用的结果，最大限度地灵活利用各种不同芯片资源和封装互连优势，尽可能地提高性能，降低成本，在做深做透的研发过程中涉及到多种技术问题，相关技术包括热设计，I／O口的重分布，减薄大规模IC芯片的背面厚度，若干芯片的层叠组装和高密集互连技术等。

在封装设计中，热设计是重要环节之一，热失效已成为封装失效的主要因素，占50％以上。对于SIP而言，系统的热耗散问题也是至关紧要的，能否迅速散热制约着设计的成败，在设计SIP时，必须事先仿真由系统功耗引起的温度分布状况和热传递过程，以数值模拟为手段，预测器件的传热特性，分析其对系统各方面的影响，并研究相应的散热处理方法，例如，采用导热性能好的材料，或减少基板厚度，不使芯片产生热失效所允许的输人功率耗散密度。

SIP的片间总线性能已成为提高系统内部总线带宽的关键，SIP内部芯片间采用的是非复用总线，使输入和输出路径分开，有丰富的连线资源，靠得很近的芯片减少了片间总线长度及电容，扩展片间连线的信号位数，提高工作频率。同时在片间也可以采用现有成熟的系统总线标准作为折衷方案，使IC芯片不经过大的改动即可应用，设计出适合SIP的片内总线和片间总线，能获得很高的效益，系统总线传输数据的带宽与时钟频率f，数据宽度W成正比。在封装衬底信号层上的布线和对引脚的某些线路的重新布置，即可简化芯片引脚与衬底的连接，互连线的延迟现象对于系统的设计有相当大的影响。

先进的封装技术要求芯片的厚度不断减薄，已制作图形晶圆的背面减薄是封装制造过程中的极为重要的工序，超精密磨削、研磨、抛光、腐蚀作为硅晶圆背面减薄工艺获得广泛应用，减薄后的芯片可提高热发散效率、机械性能、电性能、减小芯片封装体积，减轻划片加工量。目前，φ200mm已制作电路图形晶片的减薄水平是0.12-0.15mm，φ300mm晶片要达到这一水平还需要采用化学机械抛光、等离子腐蚀、先划片(半切割，切入晶圆后还剩下200μm)后研磨等技术，今后的发展趋势是达到0．05mm以下的厚度。硅晶片上电路层的有效厚度一般为5-10μm，为保证其功能，并有一定的支撑厚度，晶片的减薄极限为20-30μm。占总厚度90％左右的晶片是为保证在芯片制造、测试、运送过程中有足够的强度，φ300mm晶片的平均厚度为775μm，φ200mm晶片为725μm，因此，在电路层制作完成后，需要对其进行背面减薄，晶片越薄，其柔韧性越好，受外力冲击引起的应力也越小。

在两个叠层芯片之间加入隔离层薄膜后的柱状互连也可满足布线要求，各层均敷铜箔并刻蚀出布线图形，制作互连通孔并金属化，然后叠层。超薄设计将具有粘接性热塑树脂用作绝缘层的柔性底板(单层布线)中介层来使用，极薄柔性底板把芯片包起来，形成柔性底板夹着芯片的“夹层结构”，即使芯片厚度减薄到100μm以下，也不会使芯片受到过大的外力，在不损坏芯片的情况下就能将封装层叠起来，在lmm的封装高度内可嵌人5个芯片。

为实现高速连接，必须仔细设计薄膜互连线路。

封装发展趋势表明，封装设计自动化是个新兴的技术领域，高性能的芯片设计越来越多地采用芯片倒装技术，是SIP与集成的关键技术，通过芯片和衬底之间的电气连接，可直接把裸芯片衬底封装在一起，封装与芯片设计的整合是不可避免的。

前景
SIP综合运用现有的芯片资源及多种先进封装技术的优势，有机结合起来由几个芯片组成的系统构筑而成的封装，开拓了一种低成本系统集成的可行思路与方法，较好地解决了SOC中诸如工艺兼容、信号混合、电磁干扰EMI、芯片体积、开发成本等问题，在移动通信、蓝牙模块、网络设备、计算机及外设、数码产品、图像传感器等方面有很大的市场需求量。所Semico公司报道，世界SIP营销收入将从2002年的8200万美元增长到2007年的7．48亿美元，年均增长率达55．6％。日本新近预测，2007年世界有关应用SIP技术的LSI市场可望达1．2万亿日元，这是根据同期系统LSI的1／5可利用SIP技术计算而得的。

东芝的SIP目标是把移动电话的全部功能组合到一个封装内，Rohm大量生产用于PC机的SIP，Amkor公司月产百万块用于高频通信及存储器SIP。中国***封装大厂正积极发展SIP，与韩国一争高低。研究者发现：SIP技术需要克服的障碍不在于缺乏应用，也不是生产厂商不乐意采用这项技术，而是成品率问题。