深圳市骊微电子科技方案

• ir2104驱动芯片代换料ID7U603SEC-R1 600V半桥预驱方案2023-03-29 09:24

  

  ID7U603是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT半桥驱动芯片，可兼容代换IR2104，应用领域于中小型功率电机驱动、功率MOSFET或IGBT驱动、照明镇流器、半桥驱动逆变器、全桥驱动逆变器等领域。ir2104替代芯片ID7U603SEC-R1特点■浮动工作电压可达600V■拉灌电流典型值210mA/360mA■兼容3.3V/5V的输入逻辑电平■dV/dt抗干扰能力±5

  芯片 驱动 962浏览量

• 20W A+C双口pd快充充电器方案|一站式服务2023-03-09 16:41

  

  自iPhone8开始，后续的苹果手机都支持快充，然而随着iPhone12系列手机的推出以及取消多部机型标配充电器这一传统，从iPhone的全球出货量来看，已经造成了上亿规模的快充市场空缺，深圳市骊微电子科技有限公司专注于电源方案设计开发，顺势推出20WA+C双口pd快充充电器方案，提供一站式服务。20WA+C双口pd快充充电器方案主控芯片采用PN8161SE-U1，该芯片内部集成了准谐振工作的电流

  充电器 快充 903浏览量

• 5W/10W/12W/15W/18W/20W/24W/36W/65W充电器芯片方案2022-10-19 15:59

  

  充电器常用的芯片方案有5W/10W/12W/15W/18W/20W/24W/36W/65W等多种功率类型，充电器中的核心元器件为充电器ic芯片，在充电环境中起到了至关重要的作用，选择合适的充电器电源芯片将大大延长电路寿命，也可以减少充电器的故障，下面骊微电子介绍几款充电器常用的芯片方案。基于PN8366的5V1A充电器电源应用方案■输入电压：90~264Vac；■输出功率：5W(5V1A)；■待机

  充电器芯片 1.2k浏览量

• 30V超低内阻mos管系列，锂电池专用mos管方案2022-08-30 13:54

  

  30V超低内阻mos管SVG030R7NL5、SVG031R1NL5、SVG031R7NL5、SVG032R4NL5系列是N沟道增强型功率MOS场效应晶体管，采用士兰的LVMOS工艺技术制造。具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。30v大电流mos管SVG030R7NL5：采用PDFN-8-5X6封装，漏源电压VDS=30V，漏极电流Tc=25℃：282A，导通电阻RDs(on)

  1.5k浏览量

• 30V/40V/60V/80V/100V/150V/200V 常用mos管选型方案2022-08-01 14:35

  

  MOS管有两种结构形式，即N沟道型和P沟道型，结构不一样，使用的电压极性也会不一样，选择到一款正确的MOS管，可以很好地控制生产制造成本，确保设备得到高效、稳定、持久的应用效果，充分发挥其“螺丝钉”的作用，30V-200Vmos管广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。30Vmos管常用型号：SVG030R7NL5封装PDFN56，导通内阻0.7mΩSVG031R1NL5封装PDFN56，

  1.9k浏览量

• IR2110国产替代芯片ID7S625高压逆变器驱动芯片方案2022-07-30 16:06

  

  常见的MOS管驱动方式有非隔离的直接驱动、自举驱动，和有隔离的变压器驱动、光耦隔离驱动等，ir2110驱动芯片替代料ID7S625高压高低侧栅极驱动芯片是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率的MOSFET和IGBT栅极驱动器，广泛应用于DCDC转换器、功率MOSFET和IGBT驱动、DC/AC转换器等领域。ir2110替代芯片ID7S625特征■芯片工作电压范围10V~20V■输入逻辑兼容3.3

  1.5k浏览量

• 65W PD快充方案PN8213+PN8307小体积低功耗2022-06-10 17:06

  

  65WPD快充方案不但可以支持手机的大功率快速充电还可以支持20V输出，可以为电脑充电，具有通用性好的优点，搭配氮化镓，体积可以做到很小，骊微电子推出65w快充方案PN8213+PN8307P+AP2080，具有小体积、大功率、高效率、超低待机功耗等特点，足以应对目前市场对65WPD快充的需求。PN8213内置800V高压启动管和X电容放电功能，专用于高性能的快速充电开关电源，待机功耗小于50mW

  985浏览量

• ob3353代换料AP3160液晶电视常用背光驱动芯片方案2022-05-31 16:57

  

  OB3353是一款具有成本效益的LED驱动器，广泛应用于LCD显示器和LCDTV背光，随着国际市场芯片缺货及疫情等外部因素的影响下，加速了半导体行业国产替代的步伐，骊微电子推出OB3353国产替代料AP3160高性能异步升压LED驱动器，可兼容代换背光芯片OB3353。ob3353代换芯片AP3160特性■宽范围工作电压：9V~35Vl■宽范围PWM调光(1kHz~200kHz)l■120kHz开

  OB3353 1.5k浏览量

• 30W pd快充方案PN8165+PN8307H兼容20W PD方案2022-05-24 16:02

  

  自从iPhone12系列手机取消标配充电器以来，各大手机品牌纷纷跟进，目前Apple手机/平板电脑等多种数码产品充电功率需求进一步提升，20W快充已经无法满足快速充电需求，30WPD快充成了继20WPD快充之后的另一大潜力市场，骊微电子推出基于PN8165+PN8307H的30W小体积PD快充参考设计，以满足快充市场需求！30WPD套片方案：主控芯片采用PN8165，次级同步采用PN8307H(A

  890浏览量

• pn8015 5V0.2A非隔离开关电源风扇方案 2022-01-12 11:44

  

  PN8015集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET，输出电压可通过FB电阻调整3.3V~24V，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN80155V0.2A风扇方案：■输入电压：90~265V■输出功率：≤1W■输出电压电流:5V/0.2A■拥有可恢复短路保护，输出过载保护。在启动阶段，内部高压启动管提供2.5mA电流对外部VDD电容进行充电；当VDD电压达到13.5V，

  1.7k浏览量