深圳市骊微电子科技文章

• 逆变器mos管常用型号，60-80v低内阻mos管系列！2023-06-26 16:30

  

  MOS管可以用作可变电阻也可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。场效应管可以方便地用作恒流源也可以用作电子开关，骊微电子60-80V低压mos系列，常用于光伏储能、BMS、逆变器等领域，是光伏储能、BMS、逆变器专用mos管！耐压60Vmos管系列：主要有SVG062R8NL5、SVG063R5

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• 富满常用PD快充协议芯片汇总，覆盖18W-100W！2023-04-23 16:48

  

  PD快充协议是一种高速充电技术，能够快速给移动设备充电，并且不会产生过热等安全问题。而这种协议需要配合芯片才能实现快速充电，因此，在选择PD快充协议芯片时需要根据具体的使用场景以及需求进行选型，骊微电子推出18W/20W/35W/45W/65W/100W常用pd协议芯片方案。常用pd协议芯片18W/20W/35W/45W/65W/100W选型36W和36W以

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• p型mos管-30V/-100V/-150V选型，士兰微mos管代理2022-11-11 15:17

  

  P型MOS管是一种适合在低速、低频领域内应用的器件，P-MOSFET的栅极是绝缘的，属于电压控制器件，因而输入阻抗高，驱动功率小，电路简单。和N沟道MOSFET产品相比，P沟道MOSFET产品需求远小，但在某些应用领域，P沟道MOSFET因其本身的电性特点，有其不可替代性，目前骊微电子可提供-30~-150V，-3~-46A的P沟道MOSFET解决方案，封装

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• 高压MOS管4N65/7N65/10N65/12N65，士兰微mos代理商!2022-09-15 17:11

  

  MOS管是一种金属—氧化物—半导体场效应晶体管，或称金属—绝缘体—半导体，具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点，是中小功率应用领域的主流开关器件，广泛应用于通信、消费电子、汽车电子、工业控制、计算机及外设设备、电源管理等。骊微电子低压MOSFET主要用于消费电子领域，中高压MOSFET则主要用于工业、通讯、电动车等领域。4n65高压mos管参数型号：SVF4

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• 骊微电子续签2022-2023年无锡芯朋微深圳代理商！2022-08-16 17:28

  

  芯朋微电子成立于2005年，于2020年7月登陆上交所科创板，产品主要包括AC-DC、DC-DC、MotorDriver等，应用于家用电器、手机及平板的充电器、机顶盒及笔记本的适配器、移动数码设备、智能电表、工控设备等领域，与深圳市骊微电子科技有限公司建立了长期稳定的合作关系，代理销售Chipown品牌系列产品，包括家电电源、标准电源、消费数码、半桥驱动等，

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• IRFB4227PBF TO-220替代料200v mos管SVT20240NT 士兰微MOS代理2022-06-27 14:57

  

  MOSFET作为功率半导体广泛应用于汽车、家电、光伏、风电、轨交等领域，长期以来一直被国外厂商占据着大部分市场份额，受益于庞大的终端消费需求，国内终端厂商推进进口替代，骊微电子推出SVT20240NTN沟道增强型MOS管可替代IRFB4227PBFTO-220场效应管。irfb4227场效应管替代料SVT20240NT特征■72A,200V,RDs(on)(

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• viper12a芯片代换料AP8012H电源控制芯片，降低成本！2022-06-21 17:14

  

  VIPER12A芯片采用SO-8或DIP-8两种封装，是ST，VIPer产品系列，应用功率5W-10W，典型应用于电池充电器的壁挂式适配器，以及电视和监视的待机电源领域，随着缺货涨价以及国内芯片产业生态发展的完善，国产替代势在必行，AP8012H在不改PCB及外围参数下可兼容替代viper12a芯片，实现进口替代！viper12a替代芯片ap8012h特征■

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• 杭州士兰微mos有哪些型号及mos代理商2022-06-01 15:43

  

  士兰微mos管产品主要包括低高压、超结mos管，实现了沟槽栅低压MOS，沟槽屏蔽栅SGT-MOS，超级结MOS和IGBT等多个产品的量产，广泛应用于家电、工业、LED照明、汽车、消费类电子、影音设备等，缺货涨价潮助力国产替代加速，士兰微不断推进产品开发和升级，不仅在产能端实现了扩增，而且产品结构也在从低阶产品向更高价值量产品升级，实现进口替代。高压超结MOS

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• ncp1252a芯片代替料启达启臣微CR1252A2022-05-20 11:19

  

  受多重因素影响，芯片的供应紧张仍未缓解，在缺“芯”困局之下，国产替代的呼声愈发高涨，许多国产厂商选择“PINtopin”的替代模式入局，骊微电子代理的启达启臣微CR1252A电源驱动芯片可代替ncp1252A芯片。ncp1252a代替芯片CR1252A特征■SOP-8L封装■内置软启动■内置斜波补偿■峰值电流限制■内置输入欠压自动恢复■内置LEB前沿消隐功能

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• NCP1342驱动氮化镓国产替代—PN82132022-05-17 11:16

  

  自从小米发布了旗下第一款采用GaN技术的充电器，市场上便掀起了GaN“快充风”，目前国内市场上手机、笔记本、平板等电子产品的GaN快充产品的核心器件—GaN驱动IC，基本上都依赖进口，骊微电子推出NCP1342驱动氮化嫁国产替代芯片—PN8213，适用于65W氮化镓充电器芯片方案。NCP1342替代芯片PN8213特征■内置高压启动电路■供电电压9~57V,

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