产品简介
DIODES 的DGD0597FUQ这是一款高频高侧和低侧栅极驱动器，能够驱动半桥配置中的 N 沟道 MOSFET。浮动高侧驱动器的额定电压高达 40V，并为 MOSFET 提供 5V 栅极驱动。
DGD0597FUQ 逻辑输入与标准 TTL 和 CMOS 电平（低至 3.3V）兼容，可轻松与 MCU 连接。UVLO 将在断电时保护 IC 和 MOSFET。
快速且匹配良好的传播延迟可实现更高的开关频率，从而使用更小的相关组件实现更小、更紧凑的电源开关设计。DGD0597FUQ 采用 V-QFN3030-8 封装，工作温度范围为 -40°C 至 +125°C。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DGD0597FUQ
名称 高频高侧 低侧栅极 驱动器
产地 台湾
封装 V-QFN3030-8
产品参数
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Offset Voltage Max (V) 40 V
Inputs HIN, LIN
Output Current IO+ (Typ) (mA) 1500 mA
Output Current IO- (Typ) (mA) 2500 mA
tON (Typ) (ns) 14 ns
tOFF (Typ) (ns) 14 ns
tR (Typ) (ns) 7 ns
tF (Typ) (ns) 5 ns
主要特征
40V 浮动高侧驱动器
低VCC工作电压：4.5V至5.5V
以半桥配置驱动两个 N 沟道逻辑电平 MOSFET
5A 拉电流/2.5A 灌电流输出能力
包含内部自举二极管
4V UVLO，具有 0.4V 迟滞
快速上升和下降时间 (7ns/5ns)
传播延迟典型值为 14ns
延迟匹配典型值为 2.5ns
扩展温度范围：-40°C 至 +125°C
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