--- 产品参数 ---
- 品牌 DIODES
- 型号 ZXT10P20DE6Q
- 名称 20V PNP 低饱和 晶体管
- 产地 台湾
- 封装 SOT26
--- 产品详情 ---

产品简介
DIODES 的ZXT10P20DE6Q这种双极结型晶体管(BJT)设计用于满足汽车应用的严格要求。
产品规格
品牌 DIODES
型号 ZXT10P20DE6Q
名称 20V PNP 低饱和 晶体管
产地 台湾
封装 SOT26
产品参数
Category Low Saturation Transistor
Compliance(Only Automotive supports PPAP) Automotive
Polarity PNP
VCEO, VCES (V) 20
IC (A) 2.5
ICM (A) 6
PD (W) 1.1
hFE (Min) 300
hFE (@ IC) (A) 0.1
hFE(Min 2) 150
hFE (@ IC2) (A) 2
VCE(sat) Max (mV) 30
VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA) 0.1/10
VCE(sat) (Max.2) (mV) 250
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA) 1.5/50
fT (MHz) 180
RCE(sat) (mΩ) 96
主要特征
BV首席执行官> -20V
I C = -2.5A 连续集电极电流
I CM = -6A 峰值脉冲电流
R CE(sat) = 96mΩ,可实现低等效导通电阻
低饱和电压(-220mV max @ -1A)
h FE特性高达 -6A,可实现高电流增益保持
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