产品简介
DIODES 的 ZXTD6717E6Q 这种新型组合器件包含一个互补的 NPN 和 PNP 低饱和晶体管，采用 SOT23-6 封装。用户受益于非常高效的性能，结合了高电流操作、极低的 V CE(SAT)和高 H FE，从而导致极低的导通状态损耗。这种双晶体管非常适合用于各种高效驱动功能，包括电机、灯、继电器和螺线管，也有利于需要高输出电流开关的电路。
产品规格
类别 低饱和晶体管
合规性（只有汽车支持 PPAP） 汽车
极性 NPN+PNP
VCEO、VCES (V) 15, 12
IC (A) 1.5, 1.25
ICM (A) 5, 3
PD (W) 1.1
hFE（最小值） 300
hFE (@IC) (A) 0.1
h FE（最小 2） 75
hFE (@ IC2) (A) 3, 2
VCE(sat) 最大值 (mV) 20. 40
VCE (SAT) (@IC/IB) (A/mA) 0.1/10
VCE(sat)（最大 2）（mV） 200, 215
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA) 1/10, 1/50
fT (兆赫) 180, 220
RCE(饱和) (mΩ) 135, 150
主要特征
在SOT26机组中Pd=1.1W
完全无铅且完全符合RoHS（注1和2）
不含卤素和锑。“绿色”装置（注3）
符合AEC-Q101高可靠性标准
PPAP能力（注4）
NPN晶体管
bvco>15伏
IC=1.5A连续集电极电流
低饱和电压（1A时最大100mV）
RSAT=135米Ω @1.5A用于低等效导通电阻
PNP晶体管
bvco>-12V
IC=-1.25A连续集电极电流
低饱和电压（-1A时最大-140mV）
RSAT=150米Ω @ 1.2A用于低等效导通电阻
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