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GTVA212701FA-V2氮化镓 (GaN)on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

型号: GTVA212701FA-V2

--- 产品参数 ---

  • 占空比 10%
  • 输出功率 P3dB 300 W
  • 效率 68.5%
  • 增益 17.5 分贝
  • (WCDMA) 输 56.2 W

--- 产品详情 ---

描述
GTVA212701FA 是一款 270 瓦 GaN on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT),用于 2110 至 2200 MHz 频段。它具有输入匹配功能;高效率; 和一个热增强的无耳封装。
 

GTVA212701FA-V2

 

 

特征
输入匹配
典型的脉冲连续波性能;2180兆赫;48 伏;10% 占空比
输出功率 P3dB 300 W
效率 68.5%
增益 17.5 分贝
能够处理 10:1 VSWR @ 48 V;56.2 W (WCDMA) 输出功率
无铅且符合 RoHS 标准

应用
多标准蜂窝功率放大器


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