ADG801BRTZ-REEL7 是 ADI 亚德诺高性能 CMOS 单刀单掷（SPST）模拟开关，专为高速信号采集、低失真信号路由、便携式测试仪器、高速数据采集前端设计。芯片具备低导通电阻、极低输入电容、快速开关速度，支持宽域单 / 双电源供电，双向信号传输，解决普通模拟开关寄生电容大、高频信号衰减严重、切换速度慢等问题，是高速模拟信号选通的优选器件。
一、同类型模拟多路开关方案等级差异对比
对比维度 | 普通 SPST 模拟开关 | 常规高速模拟开关 | ADG801BRTZ-REEL7（本片） |
导通电阻 | 几十 Ω，随电压波动大 | 5~10Ω | 典型 2.5Ω，全温最大值 4Ω，信号损耗低 |
输入电容 | 数十 pF，高频衰减明显 | 10~20pF | 仅 3.5pF，大幅降低高频信号畸变 |
开关速度 | 数百 ns | 100ns 级别 | Ton 16ns，Toff 12ns，纳秒级高速切换 |
供电范围 | 供电区间窄 | 双电源为主 | 单电源 2.7V\5.5V / 双电源 ±2.5V\±5.5V |
漏电流 | nA 级，高温漂移大 | 数 nA | 最大关断漏电流 100pA，减少采样误差 |
二、核心参数速览
参数项目 | 规格指标 + 通俗解读 |
芯片定位 | 单通道 SPST（单刀单掷）模拟开关 |
导通电阻 | 典型 2.5Ω，最大值 4Ω |
输入电容 | 3.5pF，降低高频负载效应 |
供电范围 | 单电源：2.7V\5.5V；双电源：±2.5V\±5.5V |
开关时序 | Ton=16ns，Toff=12ns，纳秒级快速切换 |
关断漏电流 | 最大 100pA@25℃ |
-3dB 带宽 | >200MHz，适配高速模拟信号 |
逻辑电平 | 兼容 1.8V~5V 逻辑电平，MCU 直接驱动 |
工作温度 | -40℃ ~ +125℃，工业宽温等级 |
封装规格 | BRTZ：SOT-23-6 封装；REEL7：7 英寸卷带包装 |
三、型号后缀解读
- BRTZ：SOT-23-6 小型贴片封装，占用 PCB 面积小；
- REEL7：7 英寸卷带包装，适配自动化 SMT 贴装量产。
四、核心特性解析
1. 低导通电阻 + 极低寄生电容，高频信号低损耗
典型 2.5Ω 导通电阻，信号衰减小；输入电容仅 3.5pF，减小对前端信号源的负载效应，200MHz 带宽，适合高频、脉冲信号切换。
2. 纳秒级高速切换，适配高速采集场景
导通时间 16ns、关断时间 12ns，切换速度快，适合高速采样、脉冲信号选通，不会限制系统采样速率。
3. 宽电压供电，多电平逻辑兼容
支持单电源 2.7\5.5V 或双电源 ±2.5\±5.5V 供电，1.8V 低压逻辑即可驱动，适配 FPGA、低功耗 MCU 系统，简化逻辑电平转换电路。
4. 双向信号传输，低漏电流
开关双向导通，模拟信号正反方向均可传输；关断漏电流低至 100pA，减少静态泄漏带来的测量误差。
5. 小型 SOT23 封装，工业宽温稳定
SOT-23-6 封装节省 PCB 空间；-40℃~+125℃宽温工作，高低温下参数稳定，适合便携设备与工业小型采集板卡。
五、芯片核心优势总结
- 极低寄生电容，200MHz 高带宽，高频信号畸变小。
- 纳秒级快速切换，适配高速脉冲与高速 ADC 采集前端。
- 低导通电阻，信号衰减小，1.8V~5V 逻辑直接驱动。
- 小型 SOT-23 封装，节约 PCB 布局空间。
- 工业宽温规格，卷带包装，适合大批量贴片生产。
六、相关型号
ADG804YRMZ-REEL7
ADG884BRMZ-REEL7
ADM1065ASUZ-RL7
ADM2795ETRWZ-EP-R7
ADM7150ARDZ-5.0-R7
ADM7151ARDZ-04
ADM811ZARTZ-REEL7
ADP7118AUJZ-R7
ADR130AUJZ-REEL7
ADR3425ARJZ-R7
ADR435ARMZ-REEL7
ADR441ARMZ-REEL7
ADR4525ARZ-R7
ADR4525BRZ-R7
ADR4533ARZ-R7
