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瑞斯特半导体

RSTTEK瑞斯特半导体是一家专注于功率半导体器件研发、设计与销售的科技企业,致力于为全球客户提供高性能、高可靠性的功率器件解决方案。

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瑞斯特(RST) 74LVC1G11 单3输入与门逻辑IC 技术特性与应用解析

型号: 74LVC1G11
品牌: (瑞斯特)

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

瑞斯特(RST)74LVC1G11是一款单路三输入与门(AND)逻辑器件,属于低压CMOS(LVC)逻辑家族,采用标准六引脚配置:A、B、C三个数据输入端,Y输出端,VCC电源端与GND接地端,逻辑功能为三输入全高输出高电平、任一输入为低则输出低电平。该器件将供电电压范围拓宽至1.65V至5.5V,输入端可接受3.3V或5V器件的直接驱动,从而天然具备3.3V/5V混合系统中的电平转换能力;所有输入端内置施密特触发结构,对缓慢上升/下降沿信号具备良好的容错性,并集成IOFF局部掉电保护电路,在VCC掉电时自动关断输出路径、防止反向电流倒灌损伤器件,面向高密度数字电路与混合电平系统的逻辑组合与电平适配应用。

电气特性层面,器件在1.65V至5.5V全电压范围内均给出明确的逻辑阈值规范:高电平输入阈值VIL(应为VIH)随电源电压分档定义,1.65V至1.95V区间为0.65VCC、2.7V至3.6V区间为2.0V、4.5V至5.5V区间为0.7VCC,低电平阈值VIL对应为0.35VCC、0.8V与0.3VCC,阈值定义严格对齐JEDEC JESD8-7/8-5/8C/36标准,可直接与TTL电平互操作。输出驱动能力方面,VCC=3.0V时高电平输出可提供-24mA拉电流(VOH典型2.62V)、低电平输出24mA灌电流(VOL典型0.33V),足以直接驱动LED、小功率负载或后级TTL输入;静态指标上,输入漏电流与掉电漏电流在VCC=0V、输入输出接5.5V条件下典型值仅±0.1μA、上限±2μA,电源静态电流上限4μA,输入电容典型5pF,功耗维持在CMOS器件的微瓦级水平。

动态与可靠性层面,器件在3.0V至3.6V电源下A至Y传播延迟典型值3.9ns、上限6.0ns,5V电源下进一步缩短至典型2.6ns、上限3.6ns,功耗电容CPD在3.3V下为24pF,适用于中等速率逻辑通路;抗静电能力表现突出,人体模型(HBM)ESD耐受超过8000V、机器模型(MM)超过550V、充电器件模型(CDM)超过2000V,闩锁电流耐受超过100mA,配合-40℃至+125℃的宽温工作区间,可满足严苛工业环境的可靠性要求。该器件提供SOT23-6L、SOT363、DFN1x1-6L与DFN1x1.45-6L四种封装选项,最小封装尺寸仅为1mm×1mm,适配高密度板级设计,均以3000只每卷的编带形式供货,兼容SMT高速贴片产线。

实际应用中,74LVC1G11依托其宽电压兼容、施密特输入与IOFF掉电保护的组合特性,可作为逻辑组合单元用于3.3V与5V混合数字系统的电平桥接与信号调理,也可在便携式设备、服务器与通信板卡中承担门控、使能与状态判定等组合逻辑功能,其输入端的施密特整形特性尤其适合对按键消抖、慢边沿传感器信号进行波形整形后再送入MCU,而IOFF电路则保障了多电源域系统中热插拔与局部下电场景下的安全隔离,广泛适用于工业控制、消费电子、网络通信与汽车电子等对低功耗、宽压工作与静电可靠性有明确要求的数字逻辑设计场合。

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