型号介绍
HTN7G38S007P 是一款宽频分立无匹配 LDMOS 射频功率放大器器件，依托 700MHz~3800MHz 超宽工作频段、7W 饱和输出功率，成为 2G 至 Sub-6GHz 5G 无线通信设备的主流射频放大核心器件。它拥有多项可靠设计亮点，首先封装热阻仅 2.9℃/W，低热阻结构带来出色的热稳定性，长时间满功率工作不易出现性能漂移；其次器件内部集成增强型 ESD 防护电路，搭配完善的加固设计，即便在 10:1 全相位极端驻波负载失配工况下持续大功率工作，也不会出现器件性能衰减，抗冲击、抗失配能力突出，大幅降低终端设备现场故障概率。同时器件直流电气特性稳定，击穿电压最低 65V，栅源开启电压典型值 1.4V，漏极、栅极漏电流控制在微安、纳安级别，静态功耗可控，静态电流可根据频段在 70mA、80mA、100mA 区间灵活调整适配。
主要特性
工作频率：700 ~ 3800MHz，覆盖 2G/3G/4G/5G 主流通信频段
漏极电压 V_DSS：-0.5V ~ +65V
栅极电压 V_GS：-5V ~ +10V
正常工作电压 V_DD：0 ~ +28V
存储温度：-55 ~ +150℃
外壳工作温度 Tc：-40 ~ +150℃
结温 Tj：-40 ~ +225℃
应用领域
移动通信基站
小区信号覆盖增强设备
无线对讲射频发射模块
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