型号介绍
HMC451LP3ETR 是一款5~18 GHz频段砷化镓赝配高电子迁移率晶体管（GaAs PHEMT）单片微波集成电路（MMIC）中功率放大器，隶属于 HMC451LP3 系列，采用无引脚符合 RoHS 标准的表面贴装封装。该器件为单电源供电射频放大芯片，输入、输出端均做 50Ω 阻抗匹配且内置隔直功能，无需额外搭配外围射频器件，支持表面贴装量产工艺，省去键合工序，可广泛应用于微波通信、军工航天、测试测量、光纤通信及混频器本振驱动等场景。芯片采用16 引脚 3×3mm LFCSP 小型封装，占用 PCB 面积仅 9mm²，布局适配性强。
主要特性
射频性能：工作频段 5~18 GHz；5~16 GHz 典型增益 18 dB，16~18 GHz 典型增益 16 dB；全频段典型噪声系数 7 dB。
功率指标：5~16 GHz 饱和输出功率典型值 + 21 dBm，功率附加效率（PAE）18%；1dB 压缩点输出功率典型 19.5 dBm（5~16 GHz）；输出三阶交调点 IP3 典型 + 28 dBm（5~16 GHz）。
端口匹配：输入、输出端原生 50Ω 阻抗匹配，射频端口内置隔直设计；全频段输入回波损耗典型 13 dB，输出回波损耗 8~12 dB。
供电与功耗：单路 + 5V 直流供电，典型工作电流 120 mA，工作电压范围 4.5V~5.5V。
环境与稳定性：增益温漂仅 0.02~0.03 dB/℃；工作温度范围 **-40℃ ~ +85℃**，存储温度 - 65℃ ~ +150℃；具备 ESD 防护能力，人体模型 ESD 等级 1A，可耐受 250V 静电。
封装工艺：16 引脚 3×3mm LFCSP 封装，
应用领域
微波无线电
射频测试设备、传感器模块
光纤通信射频链路
HMC 系列混频器本振驱动模块
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