简介
今天我要向大家介绍的是 Tagore 的射频开关——TS63210K。它天生就带着 GaN 材料赋予的卓越电气基因。当它处于“开启”状态时，其导通电阻仅为 1.4Ω，这种超低的电阻特性意味着信号在通过时几乎不会遇到阻碍，从而极大地减少了能量损耗；而当它处于“关闭”状态时，关断电容仅为 0.40pF，这让它在隔离信号时能够做到干净利落，防止信号串扰。更令人印象深刻的是它强健的“体魄”。在 10MHz 的测量条件下，它能够承受高达 100V 的射频峰值电压；在 800MHz 的连续波（CW）输入下，其射频输入功率承受能力可达 42dBm。这种高电压和大功率的耐受能力，使其在面对高功率射频信号时依然能泰然自若。
主要特性
超低 1.4Ω 导通电阻
0.40pF 关断电容
100V 射频峰值电压处理能力
每个状态可独立控制
4 个独立状态配置
射频线上无需外部直流阻断电容
多功能的 2.6~5.5V 电源
1.2~5.0V 数字控制
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