简介
今天我要向大家介绍的是 Broadcom 的光耦——4N55TXV。它是一款单通道、双通道及四通道、气密性密封的光耦器件，能够在–55°C至+125°C的全军用温度范围内工作和存储。该器件每个通道包含一个 GaAsP 发光二极管，在光学上耦合到一个集成的高速光子探测器，输出端为开路集电极晶体管。器件提供高达 1500 Vdc 的隔离耐压测试标准，具备出色的抗辐射能力。它兼容 6N135、6N136 及 HCPL-2530/2531 功能，能够实现逻辑系统之间的高速信号传递（典型高速达 400 kb/s，带宽 9 MHz）。该器件在经过 MIL-PRF-38534 认证的生产线上制造和测试，符合 QML-38534 Class H 和 K 标准，专为高可靠性关键系统设计，支持多种封装及表面贴装（如 Option #100/300）组装方式。
主要特性
高速传输与宽电压支持
高速传输：典型的数据传输速率可达 400 kb/s
宽频带：典型带宽达到 9 MHz
宽电压范围：VCC 范围支持 2V 到 18V
开路集电极输出：方便与各种逻辑电平接口
高电流传输比（CTR）与隔离能力
高电流传输比：在 IF = 16 mA 时，最小保证值达到 9%
高隔离电压：提供 1500 Vdc 的耐压测试标准
高抗辐射能力：浅结深 IC 光电二极管提供比传统光晶体管耦合器更好的抗辐射性
应用
高可靠性关键系统
车辆指令、控制及生命维持系统
开关电源
电压电平转换
模拟信号接地隔离
隔离输入线路接收器与输出线路驱动器
逻辑接地隔离
恶劣工业环境
测试设备系统的隔离
相关型号
4N55TXVB
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