--- 产品参数 ---
- 频率范围 1MHz ~ 50MHz
- 支持工作电压 0.9V / 1.2V / 1.5V
- 低功耗 低工作电流0.9mA,待机电流100μA
- 单端输出 CMOS
- RMS相位抖动 0.3ps(12kHz~20MHz带宽)
- 封装 3.2×2.5mm
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
产品特点
封装尺寸:3.2×2.5mm 小型SMD贴片封装
支持电源电压:0.9V / 1.2V / 1.5V(典型)
频率范围:1MHz ~ 50MHz
低功耗:
0.9~1.5mA(典型工作电流,@15pF负载)
max待机电流:100μA
输出逻辑:CMOS 单端输出
启动时间:max4ms
相位噪声(@24MHz,Vdd=1.2V):
-135 dBc/Hz @1kHz
-143 dBc/Hz @10kHz
-150 dBc/Hz @100kHz
-155 dBc/Hz @1MHz
相位抖动(RMS):典型值 0.3ps(12kHz~20MHz)
周期抖动:峰值 ≤ 40ps
占空比:45%~55%
老化率:±3ppm/年(首年 @25°C)
Tri-State 功能:引脚1支持启用/禁用
符合 RoHS / 无铅标准
典型应用
物联网设备(IoT)
游戏主机与游戏控制器
智能手机、数码相机
可穿戴设备(手环、智能手表)
消费类电子产品
设计建议
为确保晶体振荡器性能,建议在 Vdd 与 GND 之间尽可能靠近器件的位置布置一个 0.1μF 的旁路电容,用于滤除电源噪声并提高电源稳定性。
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