产品
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PTVA101K02EV-V1 大功率射频 LDMOS FET 1000 W CREE2022-07-15 10:37
产品型号：PTVA101K02EV-V1 集成： ESD 保护 脉冲条件下承受： 1000 W 负载失配：10:1 LTDF：6.4% -
PTVA092407NF-V2 大功率射频 LDMOS FET 240 W CREE2022-07-15 10:29
产品型号：PTVA092407NF-V2 P1dB输出功率：240 W； P3dB输出功率：287 W 增益：20 分贝 效率：62% -
PTVA082407NF-V2 大功率射频 LDMOS FET 240 W CREE2022-07-15 10:23
产品型号：PTVA082407NF-V2 P1dB输出功率：225 P3dB输出功率：250 W 增益：20.5 分贝 效率：43% 集成： ESD 保护 -
PTVA047002EV-V1 高功率射频 LDMOS FET 700 W CREE2022-07-15 10:14
产品型号：PTVA047002EV-V1 集成： ESD 保护 热效率：低热阻 高增益 封装：热增强封装 平均功率承受：130 W VSWR：10:1 -
PTVA043502EC-V1/PTVA043502FC-V1 大功率射频 LDMOS FET 350 W CREE2022-07-15 10:06
产品型号：PTVA043502EC-V1/PTVA043502FC-V 集成： ESD 保护 VSWR：10:1 平均功率：70 W 热效率：低热阻 高增益 -
PTVA042502EC-V1/PTVA042502FC-V1 大功率射频 LDMOS FET 250 W CREE2022-07-15 10:01
产品型号：PTVA042502EC-V1/PTVA042502FC-V 热效率：低热阻 集成 ：ESD 保护 VSWR：平均功率承受 10:1 标准：RoHS 标准 -
PTVA035002EV-V1 高功率射频 LDMOS FET 500 W CREE2022-07-15 09:53
产品型号：PTVA035002EV-V1 热效率：高增益和高效率 负载失配： 13:1 脉冲条件下承受： 57 dBm 占空比：10% -
PTVA030121EA-V1 大功率射频 LDMOS FET 12 W CREE2022-07-15 09:47
产品型号：PTVA030121EA-V1 热效率：高增益; 低热阻 稳固性：出色的坚固性 承受电压：50V 负载失配：13:1 -
PTRA097008NB-V1 大功率射频 LDMOS FET 630 W CREE2022-07-15 09:40
产品型号：PTRA097008NB-V1 峰值 P1dB： 400 W 典型值 占空比：10% P1dB输出功率：180 W P3dB输出功率：600 W 效率：52% -
PTRA093818NF-V1 大功率射频 LDMOS FET 415 W CREE2022-07-15 09:30
产品型号：PTRA093818NF-V1 典型的脉冲连续波性能：960兆赫 峰值 P1dB：250 W 典型值 P3dB输出功率：375 W 效率：55% 增益：18 分贝