产品
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PXFE211507FC-V1 大功率射频 LDMOS FET2022-07-14 16:49
产品型号：PXFE211507FC-V1 典型的脉冲连续波性能：2140兆赫 P1dB时的输出功率：172W P3dB输出功率：208 W P3dB 时的效率：64.4% 增益：20.3 分贝 -
WSGPA01-V1 GaN on SiC 分立通用放大器 (GPA)2022-07-14 16:37
产品型号：WSGPA01-V1 工作频率：：高达 5 GHz P3dB：：高达 10 W 电源电压：：高达 50 V 技术：GaN on SiC HEMT -
PTFC210202FC-V1 大功率射频 LDMOS FET2022-07-14 16:03
产品型号：PTFC210202FC-V1 典型的连续波性能：2170兆赫 组合输出：：P1dB = 28 W 时的输出功率 增益：20.9 分贝 效率：62% 输出功率：28 W (CW) -
PTAC210802FC-V1高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-07-14 15:42
产品型号：PTAC210802FC-V1 典型的脉冲连续波性能：2170兆赫 输出功率： P3dB 75 W 效率 ：48 % 增益 ：14 分贝 输出功率：80 W (CW) -
GTVA355001EC氮化镓 (GaN)on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-07-14 15:28
产品型号：GTVA355001EC 脉冲宽度：300 μs 占空比：10% 输出功率：P3dB = 500 W 排水效率：65% 增益：13 分贝 -
GTVA220701FA-V1氮化镓 (GaN)on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-07-14 14:41
产品型号：GTVA220701FA-V1 输出功率：P3dB 45 W 效率： 60.7% 增益： 21.6 分贝 输出功率：40 W (CW) -
GTVA212701FA-V2氮化镓 (GaN)on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-07-14 14:28
产品型号：GTVA212701FA-V2 占空比：10% 输出功率： P3dB 300 W 效率： 68.5% 增益： 17.5 分贝 (WCDMA) 输：56.2 W -
GTVA126001EC-V1氮化镓 (GaN)on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-07-12 15:04
产品型号：GTVA126001EC-V1 占空比；：10% 输出功率（P3dB）：600W 排水效率 ：65%； 增益：18 分贝 IDQ：100 毫安 -
GTVA123501FA-V1氮化镓 (GaN)on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-07-12 09:15
产品型号：GTVA123501FA-V1 输出功率：350W； 排水效率 ：70 %； 增益：18 分贝 脉冲宽度：300 μs 占空比：10% -
GTVA107001EC-V1氮化镓 (GaN)on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-07-11 15:20
产品型号：GTVA107001EC-V1 典型的脉冲连续波性能：1030兆赫 脉冲宽度：128 μs 占空比：10% 输出功率 P3dB：890 W IDQ：100 mA