产品
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PTRA087008NB-V1 大功率射频 LDMOS FET 650 W CREE2022-07-15 09:14
产品型号：PTRA087008NB-V1 峰值 P1dB：380 W 典型值 典型的脉冲连续波性能：805兆赫 P3dB输出功率：650 W 效率：52% 增益：19.5 分贝 -
PTRA082808NF-V1 高功率射频 LDMOS FET 280 W CREE2022-07-14 18:27
产品型号：PTRA082808NF-V1 P1dB：115 W Typ 峰值：P1dB： 165 W 典型值 增益：16.2 分贝 P3dB输出功率：250 W -
PTGA090304MD-V2 宽带 LDMOS 两级集成功率放大器 2 x 20 W CREE2022-07-14 18:18
产品型号：PTGA090304MD-V2 P1dB 时的输出功：45 dBm P3dB 时的输出功：45.9 dBm P3dB 时的输出功：45.9 dBm P1dB 时的效率 ：48.1% 典型的 CW 性能：960 MHz，50 V -
PTGA090304MD-V2 宽带 LDMOS 集成功率放大器 2 X 15 W CREE2022-07-14 18:10
产品型号：PTGA090304MD-V2 典型的 CW 性能：960 MHz，50 V P1dB 时的输出功：45 dBm P3dB 时的输出功：45.9 dBm P1dB 处的线性增：31 dB P1dB 时的效率：48.1% -
PTFC270101M-V1 大功率射频 LDMOS FET 10 W CREE2022-07-14 18:01
产品型号：PTFC270101M-V1 输出功率@P1dB ：10 W 增益： 20 分贝 效率：60% 输出功率 ：1.3 W 输出功率：10 W (CW) -
PXAC210552FC-V1 高功率射频 LDMOS FET CREE2022-07-14 17:50
产品型号：PXAC210552FC-V1 P1dB：35 W 典型值 P1dB 时的输出功：27 W 增益 ：17 分贝 效率：59% 输出功率：55 W (CW) -
PXAD184218FV-V1 大功率射频 LDMOS FET 420 W CREE2022-07-14 17:27
产品型号：PXAD184218FV-V1 峰值 P1dB：290 W 典型值 P3dB 时的输出功：420 W 效率： 62% 增益：14 分贝 输出功率：110 W (WCDMA) -
PXAE213708NB-V1 LDMOS Doherty 晶体管 CREE2022-07-14 17:16
产品型号：PXAE213708NB-V1 主 P3dB ：160 W Typ 峰值 P3dB典型值：290 W 典型的脉冲连续波性能：2180兆赫 P3dB输出功率：400 W P3dB功率附加效率： 60.3% -
PXAE183708NB-V1 大功率射频 LDMOS FET 320 W CREE2022-07-14 17:06
产品型号：PXAE183708NB-V1 峰值 P3dB：315 W 典型值 P1dB 时的输出功：320 W P3dB 时的输出功：430 W 排水效率：60% 增益：13.5 分贝 -
PXFC191507FC-V1 大功率射频 LDMOS FET 150 W2022-07-14 16:57
产品型号：PXFC191507FC-V1 典型的脉冲连续波性能：1990 兆赫 输出功率：P1dB = 140 W 效率：54% 增益 ：19.5 分贝 输出功率：150 W (CW)