产品
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STM32L433RCT6集成电路（IC）嵌入式 - 微控制器 ST2022-06-17 10:35
产品型号：STM32L433RCT6 功耗：：超低功耗微控制器 工作频率：：80 MHz 电压 - 供电 (V：1.71V ~ 3.6V 电容感应：：21通道 通信接口：：标准和高级 -
STM32L433CCU6集成电路（IC）嵌入式 - 微控制器 ST2022-06-17 10:14
产品型号：STM32L433CCU6 功耗：：超低功耗微控制器 工作频率：：80 MHz 电压 - 供电 (V：1.71V ~ 3.6V 电容感应：：21通道 通信接口：：标准和高级 -
CGHV35060MP 高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-06-16 17:11
产品型号：CGHV35060MP 典型输出功率：75W 功率增益：14.5分贝 排水效率：67% 内部预匹配输入：无与伦比的输出 -
CGHV35400F-AMP氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)测试板2022-06-16 16:56
产品型号：CGHV35400F-AMP 操作频率：2.9 – 3.5 GHz 典型输出功率：500 W 功率增益：11分贝 典型排水效率：70% 欧姆内部匹配：50 -
CGHV35400F1氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-06-16 16:54
产品型号：CGHV35400F1 操作频率：2.9 – 3.5 GHz 典型输出功率：500 W 功率增益：11分贝 典型排水效率：70% 欧姆内部匹配：50 -
CGHV35400F氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-06-16 16:52
产品型号：CGHV35400F 操作频率：2.9 – 3.5 GHz 典型输出功率：500 W 功率增益：11分贝 典型排水效率：70% 欧姆内部匹配：50 -
CGHV35150F-AMP 高电子迁移率晶体管 (HEMT)测试板2022-06-16 16:39
产品型号：CGHV35150F-AMP 额定功率 ：150 W @ TCASE = 85°C 工作频率：2.9 – 3.5 GHz 瞬态占比： 100 μsec – 300 μsec @ 20% 功率增益：13.5 dB @TCASE = 85°C 典型漏极效率：50 % @TCASE = 85°C -
CGHV35150F 高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-06-16 16:37
产品型号：CGHV35150F 额定功率：150 W 工作频率 ：2.9 – 3.5 GHz 瞬态占比： 100 μsec – 300 μsec @ 20% 功率增益：13.5 dB 典型漏极效率：50 % -
CGHV35150P高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-06-16 16:35
产品型号：CGHV35150P 额定功率：150 W @ TCASE = 85°C 工作频率：2.9 – 3.5 GHz 瞬态占比： 100 μsec – 300 μsec @ 20% 功率增益：13.5 dB 典型漏极效率：50 % -
CGHV31500F1-AMP氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)测试板2022-06-16 16:13
产品型号：CGHV31500F1-AMP 操作频率：2.7 – 3.1 GHz 典型输出功率：650 W 功率增益：12分贝 典型排水效率：65% 欧姆内部匹配：50