产品
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D1009UK功率晶体管2022-06-21 22:22
产品型号:D1009UK 工作电压:28V 功率输出:150W 最低效率:10 获得:13 测试频率:400MHz -
D1008UK功率晶体管2022-06-21 22:13
产品型号:D1008UK 工作电压:28V 功率输出:80W 最低效率:50 获得:13 测试频率:400MHz -
D1007UK功率晶体管/TT Electronics2022-06-21 22:03
产品型号:D1007UK 工作电压:28V 功率输出:40W 最低效率:50 获得:16 测试频率:400MHz -
D1006UK功率晶体管2022-06-21 21:52
产品型号:D1006UK 配置:单端 包裹:DV 工作电压:28V 功率输出:80W 最低效率:50 -
D1005UK功率晶体管2022-06-21 21:42
产品型号:D1005UK 配置:单端 包裹:DM 工作电压:28V 功率输出:80W 最低效率:50 -
D1004UK功率晶体管/TT Electronics2022-06-21 21:25
产品型号:D1004UK 配置:单端 包裹:DT 工作电压:28V 功率输出:80W 最低效率:50 -
D1003UK功率晶体管/TT Electronics2022-06-21 21:03
产品型号:D1003UK 配置:单端 包裹:DM 工作电压:28V 功率输出:60W 最低效率:50 -
D1002UK功率晶体管/TT Electronics2022-06-21 20:51
产品型号:D1002UK 配置:单端 工作电压:28V 功率输出:40W 最低效率:50 测试频率:175MHz -
D1001UK功率晶体管/TT Electronics2022-06-21 19:31
产品型号:D1001UK 配置:单端 工作电压:28V 功率输出:20V 包裹:和 最低效率:50 -
CGHV35120F 高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-06-20 11:28
产品型号:CGHV35120F 额定功率:120 W @ TCASE = 85°C 工作频率:2.9 – 3.8 GHz 瞬态:100 μsec – 300 μsec @ 20% 占 功率增益:13 dB 功率增益@TCASE = 85°C 典型漏极效率:62% 典型漏极效率@TCASE = 85°C