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立年电子科技

射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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立年电子科技产品

  • EGN26C210I2D 高压 大功率GaN HEMT2023-12-23 20:19

    产品型号：EGN26C210I2D 厂家：Sumitomo Electric Eudyna 型号： EGN26C210I2D 名称：用于基站的功率GaN＞GaN HEMT 产地：日本 封装：SMT

  • EGN26C160I2D 高压 大功率GaN HEMT2023-12-23 20:11

    产品型号：EGN26C160I2D 厂家：Sumitomo Electric Eudyna 型号：EGN26C160I2D 名称： 用于基站的功率GaN＞GaN HEMT 产地：日本 封装：SMT

  • EGN26C105I2D 高压 大功率GaN HEMT2023-12-23 20:05

    产品型号：EGN26C105I2D 厂家：Sumitomo Electric Eudyna 型号：EGN26C105I2D 名称：用于基站的功率GaN＞GaN HEMT 产地：日本 封装：SMT

  • EGN26C070MK 高压 大功率GaN HEMT2023-12-23 19:58

    产品型号：EGN26C070MK 厂家：Sumitomo Electric Eudyna 型号：EGN26C070MK 名称：用于基站的功率GaN＞GaN HEMT 产地：日本 封装：SMT

  • EGN26C070I2D 高压 大功率GaN HEMT2023-12-23 19:50

    产品型号：EGN26C070I2D 厂家：Sumitomo Electric Eudyna 型号：EGN26C070I2D 名称：用于基站的功率GaN＞GaN HEMT 产地：日本 封装：SMT

  • SGN21C050MK 高压 大功率GaN HEMT2023-12-23 19:42

    产品型号：SGN21C050MK 厂家：Sumitomo Electric Eudyna 型号：SGN21C050MK 名称：用于基站的功率GaN＞GaN HEMT 产地：日本 封装：SMT

  • EGN21C320IV 高压 大功率GaN HEMT2023-12-23 19:32

    产品型号：EGN21C320IV 厂家：Sumitomo Electric Eudyna 型号：EGN21C320IV 名称：用于基站的功率GaN＞GaN HEMT 产地：日本 封装：SMT

  • EGN21C210I2D 高压 大功率GaN HEMT2023-12-22 16:29

    产品型号：EGN21C210I2D 厂家：Sumitomo Electric Eudyna 型号：EGN21C210I2D 名称：用于基站的功率GaN＞GaN HEMT 产地：日本 封装：SMT

  • EGN21C160I2D 高压 大功率GaN HEMT2023-12-22 16:23

    产品型号：EGN21C160I2D 厂家：Sumitomo Electric Eudyna 型号：EGN21C160I2D 名称：用于基站的功率GaN＞GaN HEMT 产地：日本 封装：SMT

  • EGN21C105I2D 高压 大功率GaN HEMT2023-12-22 16:17

    产品型号：EGN21C105I2D 厂家：Sumitomo Electric Eudyna 型号：EGN21C105I2D 名称：用于基站的功率GaN＞GaN HEMT 产地：日本 封装：SMT
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