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立年电子科技

射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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立年电子科技产品

  • SGN2731-320D-R 雷达 高压大功率 GaN HEMT2023-12-25 12:14

    产品型号：SGN2731-320D-R 厂家：Sumitomo Electric Eudyna 型号：SGN2731-320D-R 名称：用于雷达的功率GaN>GaN HEMT 产地：日本 封装：SMT

  • SGN2729-150D-R 雷达 高压大功率 GaN HEMT2023-12-25 12:04

    产品型号：SGN2729-150D-R 厂家：Sumitomo Electric Eudyna 型号：SGN2729-150D-R 名称：用于雷达的功率GaN>GaN HEMT 产地：日本 封装：SMT

  • SGN26C320I2D 高压 大功率GaN HEMT2023-12-25 11:57

    产品型号：SGN26C320I2D 厂家： Sumitomo Electric Eudyna 型号：SGN26C320I2D 名称：用于基站的功率GaN＞GaN HEMT 产地：日本 封装 ：SMT

  • SGN21C320I2D 高压 大功率GaN HEMT2023-12-25 11:51

    产品型号：SGN21C320I2D 厂家：Sumitomo Electric Eudyna 型号：SGN21C320I2D 名称：用于基站的功率GaN＞GaN HEMT 产地：日本 封装：SMT

  • SGN19C320I2D 高压 大功率GaN HEMT2023-12-25 11:44

    产品型号：SGN19C320I2D 厂家：Sumitomo Electric Eudyna 型号：SGN19C320I2D 名称：用于基站的功率GaN＞GaN HEMT 产地：日本 封装：SMT

  • SGNC320MK 高压 大功率GaN HEMT2023-12-25 11:38

    产品型号：SGNC320MK 厂家：Sumitomo Electric Eudyna 型号：SGNC320MK 名称：用于基站的功率GaN＞GaN HEMT 产地：日本 封装：SMT

  • EGN35C070I2D 高压 大功率GaN HEMT2023-12-25 11:30

    产品型号：EGN35C070I2D 厂家：Sumitomo Electric Eudyna 型号： EGN35C070I2D 名称：用于基站的功率GaN＞GaN HEMT 产地：日本 封装：SMT

  • SGN27C210I2D 高压 大功率GaN HEMT2023-12-23 20:37

    产品型号：SGN27C210I2D 厂家：Sumitomo Electric Eudyna 型号： SGN27C210I2D 名称：用于基站的功率GaN＞GaN HEMT 产地：日本 封装：SMT

  • SGN27C160I2D 高压 大功率GaN HEMT2023-12-23 20:31

    产品型号：SGN27C160I2D 厂家：Sumitomo Electric Eudyna 型号：SGN27C160I2D 名称：用于基站的功率GaN＞GaN HEMT 产地：日本 封装：SMT

  • SGN26C050MK 高压 大功率GaN HEMT2023-12-23 20:24

    产品型号：SGN26C050MK 厂家：Sumitomo Electric Eudyna 型号： SGN26C050MK 名称：用于基站的功率GaN＞GaN HEMT 产地：日本 封装：SMT
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