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立年电子科技

射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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立年电子科技产品

  • SGC5259-50A-R C波段 内部匹配 GaN HEMT2023-12-21 10:45

    产品型号:SGC5259-50A-R 厂家:Sumitomo Electric Eudyna 型号:SGC5259-50A-R 名称:用于雷达的功率GaN>GaN HEMT>C/X 产地:日本 封装:SMT
  • SGK5254-120A-R C波段 内部匹配 GaN HEMT2023-12-21 10:38

    产品型号:SGK5254-120A-R 厂家: Sumitomo Electric Eudyna 型号:SGK5254-120A-R 名称:用于雷达的功率GaN>GaN HEMT>C/X 产地:日本 封装:SMT
  • SGK5254-30A-R C波段 内部匹配 GaN HEMT2023-12-21 10:18

    产品型号:SGK5254-30A-R 厂家:Sumitomo Electric Eudyna 型号:SGK5254-30A-R 名称:砷化镓晶体管 产地:日本 封装:SMT
  • SGN31E030MK 用于雷达的高压大功率GaN HEMT驱动器2023-12-21 10:10

    产品型号:SGN31E030MK 厂家:Sumitomo Electric Eudyna 型号:SGN31E030MK 名称:用于雷达的功率GaN>GaN HEMT>驱动器级 产地:日本 封装:SMT
  • SGNH360M1H 高压 大功率GaN HEMT2023-12-21 10:02

    产品型号:SGNH360M1H 厂家:Sumitomo Electric Eudyna 型号:SGNH360M1H 名称:用于基站的功率GaN>GaN HEMT 产地:日本 封装:SMT
  • SGN36H120M1H 高压 大功率GaN HEMT2023-12-21 09:56

    产品型号:SGN36H120M1H 厂家:Sumitomo Electric Eudyna 型号:SGN36H120M1H 名称:用于基站的功率GaN>GaN HEMT 产地:日本 封装:SMT
  • SGN36H080M1H 高压 大功率GaN HEMT2023-12-21 09:50

    产品型号:SGN36H080M1H 厂家:Sumitomo Electric Eudyna 型号:SGN36H080M1H 名称:用于基站的功率GaN>GaN HEMT 名称:日本 封装:SMT
  • SGN36H050M1H 高压 大功率GaN HEMT2023-12-21 09:44

    产品型号:SGN36H050M1H 厂家:Sumitomo Electric Eudyna 型号:SGN36H050M1H 名称:用于基站的功率GaN>GaN HEMT 产地:日本 封装:SMT
  • SGN26H241M1H 高压 大功率GaN HEMT2023-12-21 09:38

    产品型号:SGN26H241M1H 厂家:Sumitomo Electric Eudyna 型号:SGN26H241M1H 名称:用于基站的功率GaN>GaN HEMT 产地:日本 封装:SMT
  • SGN26H180M1H 高压 大功率GaN HEMT2023-12-21 09:33

    产品型号:SGN26H180M1H 厂家:Sumitomo Electric Eudyna 型号:SGN26H180M1H 名称:用于基站的功率GaN>GaN HEMT 产地:日本 封装:SMT