描述
GTRA362002FC 是一款 200 瓦 (P3dB) GaN on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)，设计用于多标准蜂窝功率放大器应用。它具有输入匹配功能；高效率; 以及带有无耳法兰的热增强封装。
特征
输入匹配
非对称 Doherty 设计：主 P3dB 85 W Typ；峰值 P3dB 115 W 典型值
典型的脉冲连续波性能；3500兆赫；48 伏；综合产出
P3dB 200 W 时的输出功率
效率 60%
增益 12.5 分贝
能够处理 10:1 VSWR @50 V；30 W (CW) 输出功率
低热阻
无铅且符合 RoHS 标准
应用
多标准蜂窝功率放大器
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