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GTRA184602FC-V1氮化镓 (GaN)on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

型号: GTRA184602FC-V1

--- 产品参数 ---

  • 技术 GaN on SiC HEMT
  • 输出功率: 460 W @ P3dB
  • 效率: 62% @ POUT = 49 dBm
  • 增益: 16 dB @ POUT = 49 dBm

--- 产品详情 ---

GTRA184602FC 是一款 460 瓦 (P3dB) GaN on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT),用于多标准蜂窝功率放大器应用程序。 它具有输入匹配、高效率和热增强型无耳法兰包装。

GTRA184602FC-V1


特征
GaN on SiC HEMT 技术
输出功率:460 W @ P3dB
效率:62% @ POUT = 49 dBm
增益:16 dB @ POUT = 49 dBm

 

应用
船用雷达
军用雷达

 

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