CMPA2935150S氮化镓 (GaN) HEMT 的单片微波集成电路 (MMIC)

Cree

型号： CMPA2935150S

--- 产品参数 ---

效率高功率附加效率
典型 PSAT 190 W
击穿电压高击穿电压
耐高温高温操作

--- 产品详情 ---

CMPA2935150S 是采用 QFN 封装的高功率两级 MMIC，可实现紧凑的模块设计和易于组装。该器件能够提供 150W 的脉冲输出功率。

特征
高功率附加效率
190 W 典型 PSAT
高击穿电压
高温操作

应用
民用和军用脉冲雷达放大器

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