CMPA1C1D080F氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

Cree

型号： CMPA1C1D080F

--- 产品参数 ---

90 W 典型 P >21% 典型功率附加效率
小信号增益 25 dB
总输出功率 -30 dBc IM3 时总输出功率为 20 W
工作电压工作电压高达 40 V

--- 产品详情 ---

Cree 的 CMPA1C1D080F 是一种封装的 90 W HPA，利用 Cree 的高性能，0.25um GaN on SiC生产工艺。工作频率为 12.75 - 13.25 GHz范围针对卫星通信，CMPA1C1D080F 提供 3 阶总输出功率为 20 W 时的互调性能为 -30 dBc。对于特殊的热管理，HPA 采用螺栓固定法兰封装。

特征
90 W 典型 PSAT >21% 典型功率附加效率
25 dB 小信号增益
-30 dBc IM3 时总输出功率为 20 W
工作电压高达 40 V

应用
卫星通信上行

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