CMPA0060025D 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

Cree

型号： CMPA0060025D

--- 产品参数 ---

小信号增益 18 dB
典型 PSAT 30 W
工作电压高达 50 V
击穿电压高

--- 产品详情 ---

CMPA0060025 是一种基于氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的单片微波集成电路 (MMIC)。GaN与硅或砷化镓相比具有优越的性能；包括更高的击穿电压；更高的饱和电子漂移速度和更高的热导率。与 Si 和 GaAs 晶体管相比，GaN HEMT 还提供更高的功率密度和更宽的带宽。这种 MMIC 可以在很小的空间内实现非常宽的带宽。

特征
18 dB 小信号增益
30 W 典型 PSAT
工作电压高达 50 V
高击穿电压
高温操作

应用
超宽带放大器
测试仪器
EMC 放大器驱动器

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