CGHV60040D 是一种氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。GaN与硅或砷化镓相比具有优越的性能；包括更高的击穿电压；更高的饱和电子漂移速度；和更高的热导率。与 Si 和 GaAs 晶体管相比，GaN HEMT 提供更高的功率密度和更宽的带宽。
特征
65% 的典型功率附加效率
40 W 典型 PSAT
50 伏操作
高击穿电压
高达 6 GHz 的操作
应用
蜂窝基础设施
A类；乙; 适用于OFDM的线性放大器；W-CDMA；长期演进；边缘; CDMA波形
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