CGHV35120F 是专为高效率而设计的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)；高增益; 和宽带宽能力；这使得 CGHV35120F 非常适合 2.9 – 3.8 GHz 雷达放大器应用。该晶体管采用陶瓷/金属法兰封装。
特征
额定功率 = 120 W @ TCASE = 85°C
工作频率 = 2.9 – 3.8 GHz
瞬态 100 μsec – 300 μsec @ 20% 占空比
13 dB 功率增益@TCASE = 85°C
62% 典型漏极效率@TCASE = 85°C
输入匹配
<0.3 dB 脉冲幅度下降
应用
S 波段雷达放大器
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