--- 产品参数 ---
- 操作频率 2.5 – 2.7 GHz
- 典型输出功率 30 W
- 增益 5 W PAVE 时 20 dB
- PAVE -34 dBc ACLR,5 W
- 5 W PAVE 时 30%
- 应用高度 APD 和 DPD 校正
--- 产品详情 ---
CGHV27030S 是无与伦比的;氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT),提供高效率;高增益和宽带宽能力。CGHV27030S GaN HEMT 器件非常适合频率为 700-960 MHz 的电信应用;1200-1400 兆赫;1800-2200兆赫;2500-2700 兆赫;在 50 V 和 28 V 操作下为 3300-3700 MHz。CGHV27030S 也是工作在 20-2500 MHz 的战术通信应用的理想选择;包括陆地移动无线电。其他应用包括 L 波段雷达和 S 波段雷达。CGHV27030S 可以在 50 V 或 28 V 电压轨下运行。晶体管尺寸为 3mm x 4mm;表面贴装; 双扁平无引线 (DFN) 封装。
特征
2.5 – 2.7 GHz 操作
30 W 典型输出功率
5 W PAVE 时 20 dB 增益
-34 dBc ACLR,5 W PAVE
5 W PAVE 时效率为 30%
可应用高度 APD 和 DPD 校正
应用
蜂窝基础设施
战术通讯
L波段雷达
S波段雷达
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