CAB760M12HM3是HM 电源模块系列。1200 V 半桥电源模块占位面积专为超高功率密度而设计。开发了 HM 功率模块平台，以在功率密度敏感的应用中提供碳化硅 (SiC) 的优势；同时保持 62mm 模块的底板兼容性。HM 平台的碳化硅优化封装可实现 175°C 的连续结操作；具有高可靠性的氮化硅 (Si 3 N 4 ) 功率基板，可确保极端条件下的机械稳健性和轻质 AlSiC 基板。HM3 非常适合要求苛刻的应用，例如工业测试设备、医疗电源、航空航天和牵引驱动。
系统优势
• 重量轻、外形紧凑，带有 62 毫米兼容底板，可实现系统改造
• 由于 SiC 的低开关和传导损耗，提高了系统效率
• 高可靠性材料选择
技术特点
• 低电感、薄型 62mm 占位面积
• 高结温 (175 °C) 操作
• 实施开关优化第三
一代 SiC MOSFET 技术
• 轻质AlSiC基板
• 高可靠性氮化硅绝缘体
应用
• 铁路和牵引
• 太阳的
• 电动汽车充电器
• 工业自动化与测试
阻断电压:1200V
包裹：HM 高性能 62 毫米
配置：用于并联的半桥右 GK
最大脉冲正向电流：1300V
电阻：1.33μJ
模块尺寸：110 毫米x65毫米x12.2毫米
最高结温：175°C
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