--- 产品参数 ---
- 阻断电压 650V
- 电阻 60hR
- 栅极电荷总数 46nC
- 输出电容 80 pF
- 反向恢复电荷 151 nC
- 反向恢复时间 11纳秒
- 最高结温 175°C
--- 产品详情 ---
CPM3-0650-0060A是650 V 裸片碳化硅 MOSFET – 第 3 代。Wolfspeed 通过推出第三代 650 V 碳化硅 MOSFET 扩展了其碳化硅 (SiC) 技术领先地位;启用更小;打火机; 在更广泛的电力系统中实现高效的电源转换。650 V SiC MOSFET 是高性能工业电源等应用的理想选择;服务器/电信电源;电动汽车充电系统;储能系统;不间断电源;和电池管理系统。

好处
以更低的开关和传导损耗提高系统效率
实现高开关频率操作
提高系统级功率密度
减小系统尺寸;重量; 和冷却要求
特征
随温度变化的低通态电阻
低寄生电容
具有超低反向恢复的快速二极管
高温操作 (Tj = 175°C)
应用
工业电源
服务器/电信
电动汽车充电系统
储能系统 (ESS)
不间断电源 (UPS)
电池管理系统 (BMS)
阻断电压:650V
电阻:60hR
栅极电荷总数:46nC
输出电容:80 pF
反向恢复电荷:151 nC
反向恢复时间 :11纳秒
最高结温:175°C
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