CPM3-0650-0045A是650 V 裸片碳化硅 MOSFET – 第 3 代。通过推出第三代 650 V 碳化硅 MOSFET 扩展了其碳化硅 (SiC) 技术领先地位；启用更小；打火机; 在更广泛的电力系统中实现高效的电源转换。650 V SiC MOSFET 是高性能工业电源等应用的理想选择；服务器/电信电源；电动汽车充电系统；储能系统；不间断电源；和电池管理系统。
好处
以更低的开关和传导损耗提高系统效率
实现高开关频率操作
提高系统级功率密度
减小系统尺寸；重量; 和冷却要求
特征
随温度变化的低通态电阻
低寄生电容
具有超低反向恢复的快速二极管
高温操作 (Tj = 175°C)
应用
工业电源
服务器/电信
电动汽车充电系统
储能系统 (ESS)
不间断电源 (UPS)
电池管理系统 (BMS)
阻断电压:650V
电阻：45hR
栅极电荷总数：63nC
输出电容：100 pF
反向恢复电荷：247 nC
反向恢复时间 ：13纳秒
最高结温：175°C
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