C6D08065Q为650 V 分立碳化硅肖特基二极管。具有碳化硅 (SiC) 的性能优势肖特基势垒二极管，电力电子系统可以期待满足比硅基解决方案更高的效率标准，同时还达到更高的频率和功率密度。SiC二极管可轻松并联以满足各种应用要求，而不用担心热失控。 结合降低冷却要求并改善热SiC产品的性能，SiC二极管能够提供在各种不同的应用中降低整体系统成本。
好处
• 电气隔离封装
• 基本上没有开关损耗
• 更高的效率
• 降低散热器要求
• 没有热失控的并行器件
特征
• 低正向电压（VF) 以正面下降
温度系数
• 零反向恢复电流/正向
恢复电压
• 与温度无关的开关行为
• 低电感的薄型封装
应用
• 企业电源、服务器和电信
电源
• 开关模式电源
• 工业电源
• 提升功率因数校正
• 自举二极管
• LLC 钳位
重复峰值反向电压:650V
直流阻断电压：650V
连续正向电流：14-8A
功耗：83-36W
工作结温和存储温度:-55to+175˚C
外壳和存储温度：-55to+150˚C
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