C3D06065A为650 V 分立碳化硅肖特基二极管。碳化硅 (SiC) 650 V 肖特基二极管技术针对高性能电力电子应用进行了优化；包括服务器电源；电动汽车充电系统；储能系统；太阳能（PV）逆变器；和消费电子产品。
好处
• 用单极整流器代替双极
• 基本上没有开关损耗
• 更高的效率
• 降低散热器要求
• 没有热失控的并行器件
特征
• 650 伏肖特基整流器
• 零反向恢复电流
• 零正向恢复电压
• 高频操作
• 与温度无关的开关行为
• 极快的切换
• VF 上的正温度系数
应用
• 开关模式电源
• 功率因数校正
• 电机驱动
重复峰值反向电压:650V
浪涌峰值反向电压：650V
直流阻断电压：650V
重复峰值正向浪涌电流：30-20A
非重复峰值正向浪涌电流:63-49A
功耗：88-38W
工作结温和存储温度:-55to+175˚C
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