C6D06065G为650 V 分立碳化硅肖特基二极管。第 6 代 650 V、6 A 碳化硅肖特基二极管。具有碳化硅 (SiC) 的性能优势肖特基势垒二极管，电力电子系统可以期待满足比硅基解决方案更高的效率标准，同时还达到更高的频率和功率密度。SiC二极管可轻松并联以满足各种应用要求，而不用担心热失控。 结合降低冷却要求并改善热SiC产品的性能，SiC二极管能够提供在各种不同的应用中降低整体系统成本。
好处
• 用单极整流器代替双极
• 基本上没有开关损耗
• 更高的效率
• 降低散热器要求
• 没有热失控的并行器件
特征
• 低正向电压（VF) 以正面下降
温度系数
• 零反向恢复电流/正向
恢复电压
• 与温度无关的开关行为
• 低漏电流 (IR)
应用
• 工业电源
• 开关模式电源
• 服务器/电信电源
• 功率因数校正
• 太阳能逆变器
• 不间断电源供应
重复峰值反向电压:650V
直流阻断电压：650V
功耗：73-31W
总电容电荷：22nC
工作结温和存储温度:-55to+150˚C
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